STL285N4F7AG - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL285N4F7AG技术参数详情：

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一颗能够同时驾驭120A大电流和40V电压，却将导通电阻压低至惊人的1.1毫欧的功率开关，它将如何彻底改变您的电源模块或电机驱动方案？答案就是STL285N4F7AG。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的STripFET F7技术，为您带来了前所未有的高效率与功率密度组合，让能量转换过程更加干净利落，将每一分电能都用在刀刃上。

无论是服务器和数据中心里要求严苛的DC-DC转换器，还是新能源汽车中迅猛响应的电机控制器，甚至是不断小型化的工业自动化设备，STL285N4F7AG都能成为其强劲而可靠的心脏。其PowerFlat（5x6）封装不仅实现了出色的热性能，更能帮助您在紧凑的PCB空间内布局大功率电路，轻松应对空间受限的挑战。从-55°C到175°C的宽广结温工作范围，确保了它在各种恶劣环境下依然稳定运行，让您的产品底气十足。

选择STL285N4F7AG，就是选择了一种面向未来的设计自信。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统频率可以更高，动态响应更迅捷。188W的强大耗散能力，结合其优异的导热封装，让散热设计变得更加轻松。当您需要可靠的技术支持和稳定的货源时，可以联系专业的ST代理商，他们能为您提供从选型到量产的全方位服务。这不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本、赢得市场的关键钥匙。立即采用STL285N4F7AG，开启高效、紧凑、可靠的电源新纪元。

型号:STL285N4F7AG
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（5x6）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 毫欧 @ 24A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:67 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5600 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:188W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
封装/外壳:8-PowerVDFN
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您正在寻找一颗能扛起大电流、实现高效开关的功率核心吗？STL285N4F7AG正是为您而来。它基于先进的STripFET F7技术，拥有40V的耐压和高达120A的连续电流处理能力，而其导通电阻低至1.1毫欧，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案效率飙升，发热更少。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭高功率应用。其优化的动态参数，如低栅极电荷和输入电容，确保了极快的开关速度，减少开关损耗，让系统工作频率得以提升，响应更加迅猛。采用热性能卓越的PowerFlat封装，帮助您在有限空间内实现高功率密度布局，并有效管理热量。无论是提升能效、缩小体积还是增强可靠性，STL285N4F7AG都是您实现设计目标的得力助手。