STL260N3LLH6

在追求极致能效的电力转换系统中，您是否还在为功率损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个能承载260A大电流的开关器件，其导通电阻却低至惊人的1.3毫欧，这意味着在相同的电流下，它产生的热量将大幅减少，系统效率得以显著提升。这正是STL260N3LLH6为您带来的核心价值它不仅仅是一个MOSFET，更是您实现高效、紧凑型电源设计的得力助手。

无论是服务器电源、高性能计算单元，还是高密度DC-DC转换模块，甚至是电动工具和汽车辅助驱动系统，这款采用先进STripFET H6技术的N沟道MOSFET都能游刃有余。其30V的漏源电压和高达260A的连续漏极电流能力，为高功率密度应用提供了坚实的保障。更令人印象深刻的是，它能在高达175°C的结温下稳定工作，配合PowerFlat（5x6）封装，不仅散热性能优异，更能为您的PCB布局节省宝贵的空间，让您的产品设计在性能和体积上双双领先。

选择STL260N3LLH6，就是选择了一种经过验证的可靠性和卓越的性能表现。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这直接转化为系统整体效率的提升和热管理的简化。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST代理渠道，您依然可以获得稳定的库存和专业的技术支持，确保现有项目的顺利推进和长期维护。它代表了一个时代的高性能标准，是那些对效率、电流处理能力和可靠性有严苛要求的经典设计的智慧之选。

• 型号:STL260N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 260A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):260A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:61.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6375 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:166W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购STL260N3LLH6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找能扛起大电流重任又保持冷静的功率开关吗？STL260N3LLH6正是为您而生的解决方案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，凭借其260A的超高连续电流能力和低至1.3毫欧的导通电阻，能显著降低您电源电路中的传导损耗，让系统运行更高效、更凉爽。

它采用先进的STripFET H6技术和紧凑的PowerFlat封装，不仅提供了卓越的功率密度，还简化了您的散热设计。其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）和优化的开关特性（低栅极电荷），让您能轻松应对汽车、工业电源及高端计算设备中的严苛挑战，构建更可靠、更紧凑的动力核心。