STL28N60DM2

在追求极致能效的电力转换世界里，您是否还在为功率器件的效率瓶颈和散热难题而困扰？想象一下，一款能在紧凑空间内稳定输出强大功率，同时将能量损耗降至最低的解决方案，将如何彻底改变您的产品设计。STL28N60DM2正是为此而生，它不仅仅是一个MOSFET，更是您通向高效、可靠电源系统的关键钥匙。

这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其60V的漏源电压和高达21A的连续漏极电流能力，为各类中压、大电流应用场景注入了澎湃动力。无论是服务器电源中要求严苛的DC-DC转换，还是工业电机驱动中需要快速响应的开关控制，亦或是新能源领域如太阳能逆变器中的能量高效调度，STL28N60DM2都能游刃有余。其先进的POWERFLAT 8x8封装技术，在提供卓越散热性能的同时，极大地节省了宝贵的PCB空间，让您的设计在性能和体积之间找到完美平衡点，轻松应对日益小型化的市场趋势。

选择STL28N60DM2，就是选择了一份经得起考验的可靠性与面向未来的前瞻性。它继承了ST在功率半导体领域数十年的深厚积淀，每一颗芯片都经过严格测试，确保在复杂工况下的长期稳定运行。这意味着您的产品将拥有更长的使用寿命、更低的故障率，从而赢得终端用户的持久信任。当您需要稳定可靠的货源和专业的技术支持时，我们的ST一级代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全程护航。让STL28N60DM2成为您下一个爆款产品的“心脏”，驱动创新，赢取市场先机。

• 型号:STL28N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 21A PWRFLAT 8X8
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:175 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:-
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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关吗？STL28N60DM2将为您提供卓越的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和21A的强大电流处理能力，专为要求严苛的开关电源、电机驱动和功率转换应用而优化。

它采用先进的POWERFLAT 8x8封装，不仅热性能出色，能帮助您的系统高效散热，还大幅节省了电路板空间，让您的设计更紧凑、更高效。选择它，意味着您为产品选择了一份来自ST意法半导体的品质保证，让您能轻松构建更可靠、更具竞争力的电力电子系统。