STL3N10F7

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能在紧凑空间内实现高效能量转换的功率器件，将如何彻底改变您的产品设计。STL3N10F7正是为此而生，它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是意法半导体尖端STripFET VII技术与DeepGATE工艺的结晶，专为挑战高效率、高密度应用而设计。

无论是紧凑型AC-DC适配器、高功率密度LED驱动器，还是需要快速开关的电机控制模块，STL3N10F7都能游刃有余。其100V的漏源电压和4A的连续漏极电流，为您的设计提供了坚实的功率基础。更令人振奋的是，在10V驱动电压下，其导通电阻低至惊人的70毫欧，这意味着在开关过程中，能量以热的形式被浪费的部分被大幅削减，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。这让您的终端产品不仅能效表现卓越，运行起来也更加冷静可靠。

选择STL3N10F7，就是选择了一种面向未来的设计思路。其采用的PowerFlat（2x2）超薄封装，在提供出色散热性能的同时，极大地节省了宝贵的PCB空间，让您的产品能够向更轻薄、更小巧的方向进化。极低的栅极电荷（仅7.8nC）和输入电容，确保了快速的开关速度，进一步减少了开关损耗，特别适合高频开关应用。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，赋予了它应对严苛环境挑战的坚韧品质。当您需要可靠、高效且节省空间的功率开关解决方案时，ST代理商可以为您提供全面的技术支持与供应保障，让STL3N10F7成为您提升产品竞争力的秘密武器。

• 型号:STL3N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（2x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:408 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（2x2）
• 封装/外壳:6-PowerWDFN
• 现在可以订购STL3N10F7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为功率转换效率难以突破而烦恼吗？STL3N10F7 N沟道MOSFET就是您的高效能量开关专家。它基于先进的STripFET VII技术，拥有低至70毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷，能显著降低开关损耗和驱动需求，让您的电源适配器、LED驱动或电机控制应用轻松实现更高的能效和功率密度。

这颗芯片采用超薄紧凑的PowerFlat封装，不仅为您节省宝贵的电路板空间，其优异的散热性能更能确保系统在高负载下稳定运行。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）让它无惧各种环境挑战。选择STL3N10F7，就是选择让您的设计更高效、更紧凑、更可靠。