STL3NK40

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源转换方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？想象一下，一个集高耐压、低损耗与微型封装于一体的解决方案，将如何彻底改变您的产品性能。现在，这一切已成为现实。我们隆重向您介绍STL3NK40，这颗来自ST意法半导体SuperMESH家族的N沟道功率MOSFET，正是为突破极限、重塑标准而生。

当您面对需要400V高耐压的开关电源、LED驱动或辅助电源设计时，STL3NK40的卓越性能将立刻显现其价值。它凭借仅5.5欧姆的低导通电阻（在10V驱动下），显著降低了传导损耗，让您的系统运行更凉爽、效率更高。其极低的栅极电荷（仅13nC）和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用，帮助您轻松实现更高的功率密度和更优的轻载效率。无论是家用电器中的待机电源，还是工业控制板上的功率开关，它都能游刃有余，确保稳定可靠的能量控制。

选择STL3NK40，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。其采用先进的PowerFLAT 5x5封装，在提供高达2.5W散热能力的同时，实现了极小的占板面积，为您宝贵的PCB空间释放出更多可能性。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作，大大提升了产品的耐用性和市场竞争力。如果您正在寻找可靠的技术伙伴，专业的ST芯片代理将为您提供从选型到量产的全方位支持。让STL3NK40成为您下一个成功产品的强大心脏，开启高效、紧凑、可靠的新篇章。

• 型号:STL3NK40
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFLAT（5x5）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 430MA POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):430mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 欧姆 @ 220mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFLAT（5x5）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购STL3NK40，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为功率开关器件的尺寸和效率烦恼吗？STL3NK40正是为您而来的解决方案。这颗400V耐压的N沟道MOSFET，集成了ST先进的SuperMESH技术，能为您提供高达430mA的连续电流能力，同时保持极低的导通与开关损耗。

它能让您轻松应对AC-DC转换器、LED照明驱动及各种离线式开关电源的设计挑战。其紧凑的PowerFLAT封装不仅节省空间，优异的散热性能更确保了系统长期运行的稳定性。选择STL3NK40，就是选择了一种高效、可靠且易于设计的功率管理方式，助您的产品在性能和成本间找到完美平衡。