STL47N60M6

在追求极致能效的电力转换领域，您是否还在为开关损耗和系统可靠性而困扰？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体MDmesh M6系列中的明星产品STL47N60M6。这款N沟道功率MOSFET，以其600V的卓越耐压能力和高达31A的连续漏极电流，为您的高压应用注入澎湃而稳定的动力。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体效率、降低运营成本的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或UPS不间断电源这些严苛的应用场景中，每一次开关都伴随着能量的损耗与热量的积聚。STL47N60M6凭借其先进的MDmesh M6技术，将导通电阻（Rds(on)）在10V驱动下优化至仅80毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。更低的栅极电荷（Qg）则显著减少了开关损耗，让您的系统即使在高速开关频率下也能保持冷静高效，轻松应对150°C的高结温工作环境，确保长期稳定运行。

选择STL47N60M6，就是选择了一份从容与保障。其创新的PowerFlat HV（8x8）封装，不仅提供了优异的散热性能，还节省了宝贵的电路板空间，让您的设计更加紧凑。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，让它无惧任何恶劣环境挑战。当您需要可靠的原厂品质与及时的技术支持时，请务必通过正规的ST授权代理进行采购，这是确保产品正宗、获得完整供应链服务与设计资源的最佳途径。让STL47N60M6成为您下一代高性能电源和驱动设计的核心，共同开启高效、可靠的电能新时代。

• 型号:STL47N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 31A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 15.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:189W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• 现在可以订购STL47N60M6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能同时兼顾高压、大电流与高效率的“心脏”吗？STL47N60M6正是为您而来。这颗采用先进MDmesh M6技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和31A的强大电流处理能力，旨在让您的电源转换和电机驱动应用运行得更冷静、更高效。

它极低的导通电阻（80mΩ @10V）和优化的栅极电荷，能显著降低开关损耗和传导损耗，直接提升系统整体能效，减少散热设计压力。其紧凑的PowerFlat HV表面贴装封装，让您能轻松实现高功率密度设计。选择它，就是为您的产品注入了意法半导体的高可靠性基因，让您轻松驾驭从工业电源到新能源逆变器的各种挑战。