STL50DN6F7

在追求极致能效的今天，您的电源转换或电机驱动方案是否还在为功率损耗和散热问题所困扰？想象一下，一个能将导通电阻压降至仅11毫欧的解决方案，能为您的系统效率带来怎样的飞跃？这正是STL50DN6F7双N沟道MOSFET为您呈现的核心价值。它不仅仅是一个开关元件，更是您提升产品竞争力、实现绿色高效设计的得力引擎。

这颗芯片的强大性能，使其在众多高要求场景中游刃有余。无论是服务器电源中需要高效同步整流的苛刻环境，还是电动工具、无人机电调中要求快速响应和高功率密度的电机驱动，STL50DN6F7都能轻松应对。其高达57A的连续漏极电流和60V的耐压能力，为您的设计提供了坚实的功率基础。而极低的栅极电荷（仅17nC）意味着更快的开关速度，显著降低了开关损耗，让系统在高频下运行依然冷静高效。当您需要构建紧凑而强大的电源模块或驱动板时，它的PowerFLAT 8封装提供了优异的散热性能和极小的占板面积，完美契合现代电子设备小型化的趋势。

选择STL50DN6F7，就是选择了一份来自意法半导体STripFET技术家族的可靠承诺。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）确保了在极端环境下的稳定运行，大大提升了终端产品的耐用性和可靠性。这颗芯片的设计精髓在于，它通过优化每一个电气参数，将“高效”与“强健”融为一体，让您的产品在性能与成本之间找到最佳平衡点。如果您正在寻找一个能显著提升系统效率、简化热管理设计的功率开关解决方案，那么STL50DN6F7无疑是您的理想之选。为了确保您能获得正品保障与及时的技术支持，我们推荐您通过官方授权的ST代理商进行采购，为您的创新之路保驾护航。

• 型号:STL50DN6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 57A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):57A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1035pF @ 30V
• 功率 - 最大值:62.5W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 现在可以订购STL50DN6F7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为电源转换效率瓶颈而烦恼吗？STL50DN6F7双N沟道MOSFET就是为您突破这一限制而生的利器。它凭借仅11毫欧的超低导通电阻，能大幅降低导通损耗，让您的电源模块或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效，直接提升终端产品的能效表现和续航能力。

这颗芯片能轻松承载高达57A的连续电流，并拥有60V的漏源电压能力，为您的高功率应用提供坚实保障。同时，其极低的栅极电荷和输入电容，确保了迅猛的开关速度，让您能够设计出更高频率、更高功率密度的方案。采用紧凑的PowerFLAT封装，它不仅能帮您节省宝贵的电路板空间，其优异的散热特性更能让您简化热设计，加速产品上市进程。