STL50NH3LL

在追求极致能效的今天，您的电源管理或电机驱动方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能在更小的空间内，以更低的导通电阻承载高达27A电流的功率器件，将如何彻底改变您的设计格局。这正是STL50NH3LL带来的核心价值它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是意法半导体STripFET技术的一次精炼呈现，旨在将高效能与高可靠性无缝融入您的下一代产品中。

无论是需要紧凑布局的便携式设备电池保护电路，还是对动态响应要求苛刻的无人机电调，或是服务器中不可或缺的DC-DC转换模块，STL50NH3LL都能游刃有余。其30V的漏源电压和27A的连续电流能力，为中等电压范围的应用提供了坚实的保障。更令人印象深刻的是，在10V驱动电压下，其导通电阻低至惊人的13毫欧，这意味着在开关过程中产生的热量被大幅抑制，系统整体效率得到显著提升，让您的终端产品运行更凉爽、续航更持久、性能更稳定。

选择STL50NH3LL，就是选择了一种经过市场验证的可靠解决方案。其采用的PowerFlat（5x6）封装，在提供卓越散热性能的同时，极大节省了宝贵的PCB空间，非常适合高密度设计。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作。虽然该型号已处于停产状态，但通过可靠的ST授权代理渠道，您依然可以获取库存，为现有产品的维护或特定项目找到值得信赖的组件。这颗芯片承载的不仅是参数，更是意法半导体对功率密度与能效不懈追求的工程哲学，让它成为您优化设计、提升产品竞争力的秘密武器。

• 型号:STL50NH3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 27A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:965 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购STL50NH3LL，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能大幅提升系统效率、同时节省布板空间的功率开关吗？STL50NH3LL正是为此而生。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，采用先进的STripFET技术，拥有30V耐压和27A的强大电流承载能力，其核心魅力在于超低的导通电阻（仅13毫欧@10V），能显著降低开关损耗和发热，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用紧凑的PowerFlat封装，不仅能轻松应对高密度PCB设计，其优异的散热特性更能保障系统长期稳定运行。无论是提升电池管理系统的效率，还是优化电机驱动的响应速度，STL50NH3LL都能以卓越的电气性能，助您轻松攻克能效与空间的双重挑战，实现产品性能的飞跃。