STB155N3H6

当您的电源设计面临效率瓶颈时，是否曾思考过，一颗MOSFET的微小改进能为整个系统带来怎样的性能飞跃？今天，我们向您隆重介绍STB155N3H6这不仅仅是一颗芯片，更是意法半导体DeepGATE与STripFET VI技术集大成之作，专为追求极致效率与可靠性的工程师而生。在30V、80A的严苛工况下，它凭借低至3毫欧的导通电阻，将功率损耗大幅降低，让热能更多地转化为驱动系统的有效能量，为您的产品注入强劲而冷静的“心脏”。

想象一下，在服务器电源、高效率DC-DC转换器或电机驱动控制的核心位置，STB155N3H6正默默发挥着关键作用。其卓越的开关特性与低栅极电荷，确保了快速响应与最小化的开关损耗，无论是应对瞬态负载还是持续高电流输出，都能游刃有余。在工业自动化、通信基础设施乃至新能源领域，它都能帮助您的设备实现更稳定、更持久的运行，显著提升终端产品的市场竞争力与用户口碑。

选择STB155N3H6，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。尽管该型号已进入停产周期，但其卓越的性能指标与广泛的应用验证，使其成为特定高端或存量项目升级替换的绝佳选择。通过我们值得信赖的ST一级代理，您不仅能获得原厂品质的保障与稳定的供货支持，更能得到深度的技术选型指导与供应链优化方案。让我们携手，用这颗凝聚尖端技术的芯片，为您的下一个成功项目奠定坚实的基石。

• 型号:STB155N3H6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3650 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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您正在寻找一颗能扛起高电流、低损耗重任的功率开关吗？STB155N3H6正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有30V的漏源电压和高达80A的连续漏极电流，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅3毫欧@40A,10V），能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用了先进的DeepGATE和STripFET VI技术，配合低栅极电荷特性，确保了快速、干净的开关动作，轻松优化系统效率。无论是用于同步整流、电机控制还是负载开关，STB155N3H6都能帮助您简化热管理设计，提升功率密度，最终打造出性能更卓越、可靠性更高的终端产品。