STL75NH3LL - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL75NH3LL技术参数详情：

在追求极致效率的电源管理与电机驱动设计中，您是否还在为寻找一款能在紧凑空间内承载大电流、同时保持超低损耗的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个堪称典范的解决方案STL75NH3LL。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的STripFET技术，重新定义了30V电压等级下的性能标杆。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键引擎。

想象一下，在您的下一款高端无人机电调、高性能电动工具或高密度服务器电源中，STL75NH3LL正在默默发挥着核心作用。其高达75A的连续漏极电流承载能力和低至5.7毫欧的超低导通电阻，意味着在相同功率下，它能将更多的电能转化为有效输出，而非令人头疼的热损耗。这直接转化为更长的设备运行时间、更冷静的系统工作温度以及更可靠的整体性能。无论是应对瞬间爆发的启动电流，还是处理持续的高负载工作，它都能游刃有余，确保动力输出的澎湃与稳定。

选择STL75NH3LL，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。其采用的先进PowerFlat（5x6）封装，在提供出色散热性能的同时，极大节省了宝贵的PCB空间，让您的设计更加纤薄、紧凑。高达60W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C结温工作范围，赋予了它无与伦比的环境适应性和鲁棒性。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用口碑，使其在特定高端或存量项目市场中依然极具价值。为确保您能获得稳定可靠的货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购咨询。让STL75NH3LL成为您撬动高效能未来的支点，开启产品性能的新篇章。

型号:STL75NH3LL
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（5x6）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 75A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.7 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1810 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:60W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
封装/外壳:8-PowerVDFN
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您正在寻找一颗能“扛大旗”又“省地方”的功率开关吗？STL75NH3LL正是为您而来！这颗采用STripFET技术的N沟道MOSFET，拥有30V的耐压和高达75A的电流处理能力，核心优势在于其惊人的低导通电阻（仅5.7毫欧@10A）。这意味着它能大幅降低开关过程中的能量损耗，直接为您带来更高的系统效率和更低的温升。

更令人惊喜的是，它将这些强大性能浓缩于微小的PowerFlat封装内，让您在追求高功率密度的设计中游刃有余。无论是驱动电机、管理电源，还是进行负载开关，STL75NH3LL都能让您的系统运行得更冷静、更高效、更可靠，轻松应对严苛的工作挑战。