STLD200N4F6AG

在追求极致效率与可靠性的汽车电子与工业电源领域，您是否还在为功率转换的损耗和散热难题而困扰？想象一下，一颗能够承载120A大电流，同时将导通电阻降至惊人的1.5毫欧的功率开关，将如何彻底改变您的系统设计格局？今天，我们为您带来的STLD200N4F6AG，正是这样一款旨在释放系统潜能、定义性能新标杆的N沟道功率MOSFET。

它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力的核心引擎。基于意法半导体先进的STripFET F6技术，这颗芯片在40V的电压平台上，实现了极低的Rds(on)与栅极电荷的完美平衡。这意味着在电机驱动、DC-DC转换器或负载开关等关键应用中，它能显著降低导通损耗和开关损耗，让您的系统运行得更凉爽、更持久，直接将能效转化为实实在在的成本优势和市场吸引力。其卓越的功率处理能力，配合PowerFlat 5x6双面散热封装，确保了在严苛环境下的稳定输出，无论是引擎舱内的高温，还是快速充放电的脉冲电流，都能从容应对。

选择STLD200N4F6AG，就是选择了一份来自顶级汽车级品质的承诺。它严格遵循AEC-Q101标准，工作温度范围宽达-55°C至175°C，这为您的汽车电子、电动工具或高端服务器电源设计提供了无与伦比的可靠性保障。当您需要将前沿的设计理念转化为稳定量产的产品时，与一家可靠的ST芯片代理合作，确保正品供应与技术支持，是项目成功的关键一环。让STLD200N4F6AG成为您下一个爆款产品的“心脏”，我们提供的不仅是一颗芯片，更是一套助力您赢得市场的完整功率解决方案。

• 型号:STLD200N4F6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）双面
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 毫欧 @ 75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:172 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:10700 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:158W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）双面
• 封装/外壳:8-PowerWDFN
• 现在可以订购STLD200N4F6AG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的功率开关吗？STLD200N4F6AG正是您的理想之选。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有40V耐压和高达120A的连续电流承载能力，其核心魅力在于极低的1.5毫欧导通电阻，能大幅减少功率损耗，让您的电机驱动、电源转换或电池管理系统运行得更高效、更凉爽。

它采用先进的STripFET F6技术和专为散热优化的PowerFlat封装，确保在高功率密度设计中也能稳定工作。符合汽车级AEC-Q101标准，工作温度范围覆盖-55°C至175°C，为您在汽车电子、工业控制等要求严苛的应用中提供坚实的可靠性保障。选择它，就是为您的产品注入了强劲而可靠的动力核心。