STN1NK60Z

在追求极致能效与可靠性的开关电源设计中，您是否曾为高压小电流开关器件的选择而反复权衡？今天，我们为您带来一个堪称完美的解决方案STN1NK60Z。这款来自ST意法半导体SuperMESH家族的N沟道MOSFET，以其600V的卓越耐压能力和精心优化的动态特性，正在重新定义紧凑型高压开关应用的性能标准。它不仅是一颗元器件，更是您提升产品竞争力、确保系统长期稳定运行的得力助手。

想象一下，在您的辅助电源、LED驱动或家用电器待机电路中，STN1NK60Z能够轻松胜任。其高达600V的漏源电压（Vdss）为您提供了充足的安全裕量，从容应对电网波动和感性负载带来的电压应力。而仅6.9nC的低栅极电荷（Qg）与94pF的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统在高频工作时依然保持冷静与高效，显著提升整体能效。选择它，就是为您的设计注入一颗强劲而敏捷的“心脏”。

为何众多工程师在需要高压、小电流、高可靠性的场景中，会不约而同地青睐STN1NK60Z？答案在于其背后强大的SuperMESH技术。这项技术实现了导通电阻与开关性能的绝佳平衡，在10V驱动电压下，导通电阻低至15欧姆，确保在300mA的连续工作电流下导通损耗最小化。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和SOT-223封装带来的优异散热能力，保证了它在各种严苛环境下都能稳定工作，寿命持久。当您需要可靠的原厂货源和专业的技术支持时，我们的ST一级代理身份能为您提供从选型到量产的全程保障。让STN1NK60Z成为您下一个成功项目的可靠基石，开启高效、可靠电源设计的新篇章。

• 型号:STN1NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 欧姆 @ 400mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:94 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 现在可以订购STN1NK60Z，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为辅助电源或小功率开关电路寻找一颗既可靠又高效的“核心开关”吗？STN1NK60Z正是为您而来！这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有高达600V的耐压和仅6.9nC的超低栅极电荷，能让您轻松实现快速、干净的开关动作，显著降低开关损耗，提升系统整体能效。

它专为高压小电流场景优化，300mA的连续电流处理能力配合优异的导热SOT-223封装，确保在紧凑空间内也能稳定散热，持久运行。无论是应对复杂的电网环境，还是追求极致的待机功耗，STN1NK60Z都能让您的设计更稳健、更高效，是您提升产品可靠性与市场竞争力的理想选择。