STN5PF02V - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STN5PF02V技术参数详情：

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一个关键的功率开关元件，它不仅能精准控制电流的通断，更能将每一次切换的能量损耗降至最低，从而让整个系统的续航与稳定性获得质的飞跃。这正是STN5PF02V为您带来的核心价值。作为意法半导体STripFET II家族中的杰出成员，这颗P沟道MOSFET以其卓越的性能，重新定义了紧凑型设计下的功率处理能力。

无论是需要高效负载开关的便携式设备，还是对空间极其敏感的电池供电模块，STN5PF02V都能大显身手。它的20V漏源电压和4.2A的连续漏极电流，为各种低压应用提供了坚实的保障。当它集成到您的DC-DC转换器、电机驱动预驱或电源路径保护电路中时，其低至80毫欧的导通电阻意味着更少的能量以热的形式浪费，直接转化为更长的运行时间与更低的温升。在-55°C至150°C的宽广工作温度范围内，它都能稳定可靠地工作，确保您的产品无论是在严寒还是酷热的环境中，都能一如既往地出色表现。

选择STN5PF02V，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与效率。其SOT-223封装在节省宝贵PCB空间的同时，也提供了优异的散热性能。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和出色的参数表现，使其依然是许多经典和特定应用场景下的优选方案。对于库存或特定需求，您可以咨询专业的ST代理，获取可靠的供应渠道与技术支持。这颗芯片所代表的，不仅仅是参数表上的数字，更是一种让设计更简洁、让能效更出众、让产品更具竞争力的工程智慧。让它成为您下一个创新项目中的无声功臣，开启高效电能管理的新篇章。

型号:STN5PF02V
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:SOT-223
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT223
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 2.1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:450mV @ 250A（最小）
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 2.5 V
Vgs（最大值）:±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:412 pF @ 15 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:SOT-223
封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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您是否正在寻找一颗能够以极小体积承载高效功率开关任务的芯片？STN5PF02V正是为您而来。这颗来自意法半导体的P沟道MOSFET，拥有20V耐压和4.2A的强劲电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅80毫欧@4.5V），能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

它采用紧凑的SOT-223封装，非常适合空间受限的便携式电子产品、电池管理模块或作为高效的负载开关。低栅极电荷和输入电容让驱动变得轻松，简化您的电路设计。选择它，就是为您的项目注入一份高效与可靠，轻松应对各种低压功率控制挑战。