STO47N60M6 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STO47N60M6技术参数详情：

在追求极致能效的今天，您的电源设计是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一款能够在600V高压下稳定运行，同时将导通电阻压至新低的功率器件，将如何彻底改变您的产品性能与市场竞争力。现在，这一切不再是想象，STO47N60M6的到来，正是为了解答这个难题，为您带来前所未有的高效与可靠。

这款源自意法半导体MDmesh M6系列的N沟道MOSFET，天生就是为高效能量转换而生的利器。其80毫欧的超低导通电阻，意味着在相同的电流下，产生的热量更少，能量损耗显著降低。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断电系统(UPS)和太阳能逆变器，STO47N60M6都能轻松应对严苛的高压、大电流工作环境。它就像一位不知疲倦的能源管家，确保每一份电能都被高效、精准地输送和利用，让您的终端设备运行更冷静、更持久、更稳定。

选择STO47N60M6，不仅仅是选择了一颗参数优秀的芯片，更是选择了一个经过市场验证的可靠解决方案。其采用的先进TOLL封装，不仅提供了卓越的散热性能，助力实现255W的高功率耗散，还优化了PCB布局空间，让您的设计更加紧凑。更低的栅极电荷（Qg）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升系统整体频率和效率至关重要。当您需要可靠的原厂技术支持与稳定的供货渠道时，我们的ST代理团队将随时为您提供专业服务，从选型到量产，全程护航。让STO47N60M6成为您下一代高性能电源设计的核心引擎，共同开启能效新纪元。

型号:STO47N60M6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TOLL（HV）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 36A TOLL
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2340 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:255W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TOLL（HV）
封装/外壳:8-PowerSFN
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您正在寻找一颗能同时驾驭高压与大电流，且效率出众的功率开关吗？STO47N60M6正是您的理想之选。这颗采用意法半导体先进MDmesh M6技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和36A的连续漏极电流，让您在设计工业电源、电机驱动或新能源逆变器时底气十足。

它的核心魅力在于极致的效率。80毫欧的超低导通电阻能大幅减少导通损耗，而优化的栅极电荷则确保了快速、干净的开关特性，从而显著降低开关损耗。这意味着您的系统不仅能处理更大的功率，还能运行得更凉爽、更节能。其坚固的TOLL封装提供了出色的热性能，确保在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，让您的产品可靠性迈上新台阶。