STP13N60M2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP13N60M2技术参数详情：

在追求更高能效与更紧凑设计的电源方案中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出STP13N60M2，这颗来自ST意法半导体MDmesh II Plus家族的N沟道功率MOSFET，正是为突破效率瓶颈而生。它凭借高达600V的漏源电压和11A的连续漏极电流能力，为您的高压开关应用注入强劲动力，而其革命性的低导通电阻与超低栅极电荷特性，将开关损耗降至新低，直接转化为更低的温升和更高的系统可靠性。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是高要求的照明和充电桩系统，STP13N60M2都能游刃有余。它卓越的快速开关性能，让您的电源设计轻松实现更高的开关频率，从而允许使用更小、更轻的磁性元件，显著缩小整体方案体积并降低成本。其坚固的TO-220封装确保了出色的功率耗散能力，在-55°C至150°C的宽温范围内稳定工作，从容应对各种严苛环境挑战。

选择STP13N60M2，意味着您选择了一个经过市场验证的高性能解决方案。它不仅仅是替换一颗MOSFET，更是为您的产品植入了高效、可靠与耐用的基因。通过我们专业的ST授权代理渠道，您不仅能获得原装正品保障和具有竞争力的价格，更能得到从选型支持到技术咨询的全方位服务。立即采用STP13N60M2，开启您下一代电源设计的高效之旅，让性能飞跃，让竞争力脱颖而出！

型号:STP13N60M2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:110W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
现在可以订购STP13N60M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

想象一下，一颗芯片就能让您的电源系统效率显著提升，运行更加冷静。这正是STP13N60M2为您带来的核心价值。它集成了600V的耐压和11A的电流处理能力，专为要求严苛的高压开关应用而优化。

得益于其MDmesh II Plus技术，这颗MOSFET实现了极低的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg）。这意味着它能大幅降低导通损耗和开关损耗，让您的设备运行更高效、发热更少，从而提升整体系统可靠性并简化散热设计。无论是提升现有产品能效，还是开发新一代紧凑型电源，STP13N60M2都是您实现高性能目标的得力助手。