STP13NM60N

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗和热管理问题而困扰？现在，让我们向您介绍一个卓越的解决方案STP13NM60N。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其MDmesh II技术的强大基因，正在重新定义中高功率应用的性能标准。它不仅拥有600V的坚固耐压和11A的连续电流能力，更以其极低的导通电阻和出色的开关特性，为您带来前所未有的效率提升和系统简化。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器项目中，STP13NM60N能够轻松应对严苛的工作环境。其TO-220封装提供了优秀的散热路径，结合高达90W的功率耗散能力，确保系统即使在满负荷运行时也能保持冷静与稳定。无论是工业自动化设备中需要频繁启停的电机，还是服务器电源中要求高效转换的PFC电路，这颗芯片都能以更低的损耗和更少的热量产生，让您的产品在竞争中脱颖而出，赢得市场青睐。

选择STP13NM60N，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着驱动电路可以更简单、更快速，从而降低整体系统复杂性和成本。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）赋予了它无与伦比的环境适应性。当您通过值得信赖的ST代理渠道获取此产品时，您获得的不仅仅是一颗高性能芯片，更是一整套能够加速您产品上市、提升终端用户体验的价值方案。让STP13NM60N成为您下一个成功设计的强大心脏。

• 型号:STP13NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP13NM60N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关吗？STP13NM60N正是为您而来。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V/11A的强劲规格，其极低的导通电阻（Rds(on)）能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动应用效率更高、发热更少。

它具备优异的开关特性，如较低的栅极电荷和输入电容，让您能够轻松设计驱动电路，实现快速、干净的开关动作，从而提升系统整体响应速度与可靠性。其坚固的TO-220封装和宽泛的工作温度范围，确保它在各种严苛环境下都能稳定运行，是您构建高效、耐用电力电子系统的理想核心器件。