STE45NK80ZD

在追求极致能效的电力转换领域，您是否还在为高电压、大电流应用中的开关损耗和散热问题而困扰？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案STE45NK80ZD。这颗源自ST意法半导体SuperFREDmesh家族的明星产品，以其800V的卓越耐压能力和高达45A的连续漏极电流，重新定义了高性能功率MOSFET的标准。它不仅是一个电子元件，更是您提升系统可靠性、降低整体能耗、赢得市场竞争的关键钥匙。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器或大功率开关电源等严苛的应用场景中，STE45NK80ZD能够轻松应对高电压冲击，确保系统稳定运行。其ISOTOP封装技术，将卓越的散热性能与电气隔离完美结合，让您的设备即使在-65°C至150°C的宽广温度范围内也能保持高效工作，大幅延长了产品的使用寿命。这意味着，无论是面对复杂的工业环境还是追求极致效率的绿色能源方案，它都能成为您最值得信赖的功率开关核心。

选择STE45NK80ZD，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。其极低的导通电阻（Rds(on)）意味着更少的导通损耗，直接转化为更低的发热和更高的系统效率。同时，优化的栅极电荷特性确保了快速、干净的开关动作，有效减少了开关损耗和电磁干扰（EMI），让您的设计更简洁，性能更出众。通过与专业的ST代理合作，您不仅能获得这颗性能强悍的芯片，更能得到从选型支持到技术方案的全方位服务，让创新之路更加顺畅。立即行动，让STE45NK80ZD为您的下一个旗舰产品注入澎湃动力！

• 型号:STE45NK80ZD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 45A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:781 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:26000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:600W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
• 现在可以订购STE45NK80ZD，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能同时驾驭高电压与大电流，且稳定可靠的功率开关吗？STE45NK80ZD正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有800V的坚固耐压和45A的强大电流处理能力，专为应对工业驱动、能源转换等高要求场景而设计。

它采用先进的SuperFREDmesh技术，配合ISOTOP封装，能显著降低导通和开关损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。这意味着您可以轻松构建出更紧凑、更可靠的电源或电机控制方案，大幅提升最终产品的性能和市场竞争力。