STU95N3LLH6

当您的下一个电源转换或电机驱动项目需要兼顾高效率与紧凑空间时，您是否曾为寻找一颗能同时满足大电流、低损耗和卓越热性能的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重向您介绍意法半导体的明星产品STU95N3LLH6。这颗集尖端技术与卓越性能于一身的N沟道MOSFET，正是为应对严苛的功率应用挑战而生，它将彻底改变您对30V级别功率器件的认知。

想象一下，在您的服务器电源模块中，它如何以高达80A的连续电流承载能力，确保系统稳定运行；在您的电动工具或无人机电调中，其低至4.7毫欧的导通电阻，能显著降低开关损耗，将更多电能转化为澎湃动力，同时大幅减少热量产生，让设备运行更持久、更可靠。得益于其先进的STripFET VI和DeepGATE技术，STU95N3LLH6在提供强大电流处理能力的同时，还拥有极低的栅极电荷和输入电容，这意味着它开关速度极快，驱动更轻松，能显著提升系统的整体频率和动态响应，让您的设计在效率和性能上双双领先。

无论是工业自动化中的电机驱动、DC-DC转换器，还是汽车电子中的辅助电源系统，这颗芯片都能游刃有余。其坚固的I-PAK通孔封装，确保了优异的散热能力和机械可靠性，即使在高达175°C的结温下也能稳定工作，为您的产品在复杂环境下的长期稳定运行提供了坚实保障。选择STU95N3LLH6，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一种提升产品竞争力、降低系统复杂性的可靠方案。我们作为值得信赖的ST授权代理，不仅能为您提供这颗性能卓越的芯片，更能为您带来专业的技术支持和供应链保障，让您的创新之路畅通无阻。

• 制造商产品型号：STU95N3LLH6
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：DeepGATE, STripFET VI
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：80A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.7 毫欧 @ 40A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2200pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：70W（Tc）
• 工作温度：175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
• 现在可以订购STU95N3LLH6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为电源设计中的效率瓶颈和散热难题头疼吗？让意法半导体的STU95N3LLH6为您带来颠覆性的解决方案。这颗N沟道MOSFET是专为高效功率开关而生的利器，它能轻松承载高达80A的连续电流，并以低至4.7毫欧的导通电阻，为您大幅削减导通损耗，直接将更多电能高效转化为输出，显著提升系统整体能效。

它采用了先进的STripFET VI技术，不仅开关速度快、驱动简单（仅需4.5V-10V驱动电压），更能有效降低栅极电荷和开关损耗。这意味着您可以设计出频率更高、响应更快的电源或电机驱动系统，同时得益于其优异的封装和热性能，确保设备在高温环境下依然稳定可靠。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠的核心动力。