STP14NM50N

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否正在寻找一颗能够兼顾高耐压、低损耗与出色热管理的功率开关解决方案？今天，我们为您隆重介绍意法半导体MDmesh II系列中的明星产品STP14NM50N。这颗N沟道功率MOSFET以其500V的卓越耐压能力和12A的连续漏极电流，为您的高压应用注入强大而稳定的动力核心，让系统设计从起点就赢在起跑线上。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是电机驱动与照明镇流器中，STP14NM50N正发挥着关键作用。它凭借MDmesh II专利技术，实现了极低的导通电阻（Rds(on)），在6A电流、10V驱动电压下仅320毫欧，这意味着更少的导通损耗和更低的发热量，直接转化为更高的系统效率和更长的产品寿命。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让开关过程更为迅速、干净，显著降低了开关损耗，使得整个电源系统运行起来既安静又高效。

选择STP14NM50N，就是选择了一份从容与安心。它采用经典的TO-220封装，不仅便于安装和散热，其高达90W的功率耗散能力（Tc）和宽广的-55°C至150°C结温工作范围，确保了它在严苛环境下依然稳定可靠。无论您的项目面临怎样的热挑战，它都能轻松应对。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，我们的ST芯片代理服务团队随时待命，为您提供从选型到量产的一站式支持。让这颗集高性能、高可靠性于一体的功率器件，成为您下一个成功产品的坚实基石。

• 型号:STP14NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP14NM50N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您是否希望为您的电源或电机驱动项目找到一颗动力澎湃且高效节能的“心脏”？STP14NM50N正是这样一款专为高压应用而生的N沟道功率MOSFET。它基于意法半导体先进的MDmesh II技术打造，拥有500V的高耐压和12A的强电流处理能力，让您轻松驾驭开关电源、PFC、电机控制等应用场景。

这颗芯片能为您做的，远不止开关那么简单。它极低的导通电阻（仅320毫欧@6A,10V）和优化的动态参数，能显著降低导通与开关损耗，直接提升系统的整体能效，让您的产品更省电、运行更凉爽。同时，其坚固的TO-220封装和宽泛的工作温度范围，确保了长期使用的卓越可靠性，让您的设计无后顾之忧。