STP2N80K5

在追求更高能效和更可靠性能的电源设计中，您是否还在为高压开关器件的选择而犹豫？今天，我们为您带来一个能够彻底改变游戏规则的解决方案STP2N80K5。这颗来自意法半导体SuperMESH5家族的N沟道功率MOSFET，以其800V的卓越耐压能力和仅为4.5欧姆的低导通电阻，为您的高压应用筑起一道坚固而高效的屏障。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体效率、降低能量损耗、并确保长期稳定运行的关键动力源泉。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或照明镇流器中，STP2N80K5正以其出色的性能默默工作。它能够轻松应对AC-DC转换器中的高压开关任务，确保电能被高效、纯净地转换。在电机控制或逆变器应用中，其快速的开关特性和高可靠性，意味着更平滑的控制和更长的设备寿命。无论是工业电源、家用电器还是专业照明设备，这颗芯片都能无缝融入，成为您产品心脏部位最值得信赖的“节拍器”。

选择STP2N80K5，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的承诺。其SuperMESH5技术确保了在高压下依然拥有极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这不仅简化了您的驱动电路设计，更能显著降低开关损耗，让您的系统在高效与低温之间找到完美平衡。高达45W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，赋予了它无与伦比的鲁棒性，即使在最严苛的环境下也能稳定输出。当您需要可靠的原厂货源与专业的技术支持时，请务必联系您信赖的ST代理，他们将为您提供从选型到量产的全程护航。让STP2N80K5成为您下一个成功产品的强大引擎，开启高效节能的新篇章。

• 型号:STP2N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:95 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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还在寻找一颗能兼顾高压、高效与高可靠性的开关核心吗？STP2N80K5正是为您而来！这颗采用先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有高达800V的漏源电压和2A的连续电流能力，让您在设计高压电源、PFC电路或照明驱动时，能够轻松驾驭能量转换，实现系统效率的显著跃升。

它的卓越之处在于，极低的栅极电荷和输入电容让开关速度更快、损耗更低，配合仅4.5欧姆的导通电阻，有效减少了导通期间的发热与能量浪费。这意味着您的设备不仅能运行得更“冷静”，整体能效也更为出色。无论是提升现有产品的性能，还是开发新一代高效能解决方案，STP2N80K5都是让您事半功倍的理想选择。