STP160N3LL

在追求极致效率的电源与电机控制领域，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一款能够承载120A大电流、同时将导通电阻降至毫欧级别的功率开关，将如何彻底改变您的设计方案。今天，我们为您带来的正是这样一款性能标杆STP160N3LL，它不仅仅是一个MOSFET，更是您实现高效、可靠、紧凑型功率转换的终极答案。

源自意法半导体备受赞誉的STripFET H6产品家族，这颗芯片天生就为高性能而生。其核心优势在于极低的3.2毫欧导通电阻（RDS(on)），这意味着在相同的电流负载下，它能将导通损耗大幅削减，让宝贵的电能更多地转化为有效输出，而非令人头疼的热量。配合高达136W的功率耗散能力，它赋予了系统前所未有的功率密度和散热裕度。无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是电动工具、无人机电调中需要瞬间爆发大电流的电机驱动，亦或是汽车辅助系统里的高效DC-DC转换，STP160N3LL都能游刃有余，确保系统在-55°C至175°C的宽广温度范围内稳定运行，应对各种极端挑战。

选择STP160N3LL，就是选择了一份经得起验证的卓越与安心。其TO-220封装是工业界的经典之选，兼顾了优异的导热性能和坚固的机械强度，让您的生产组装轻松高效。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，显著降低了驱动电路的负担，让开关速度更快，整体效率再上一个台阶。当您需要构建一个既强劲又精巧的功率核心时，这颗芯片提供的不仅仅是参数表上的优秀数据，更是一整套提升产品竞争力、降低系统总成本的解决方案。我们作为专业的ST一级代理，不仅确保您能稳定获取这款优质器件，更能提供深度的技术支持和选型指导，助您将STP160N3LL的澎湃性能，完美融入您的下一个创新产品中。

• 型号:STP160N3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 120A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.2 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP160N3LL，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？STP160N3LL正是为您而来的解决方案。它凭借N沟道设计和先进的STripFET H6技术，在30V电压下可轻松驾驭高达120A的连续电流，而其惊人的3.2毫欧超低导通电阻，能显著减少导通状态下的功率损耗，直接提升您的系统整体效率。

这颗芯片能让您的设计工作变得异常轻松。它拥有优化的开关特性，栅极电荷低至42nC，让驱动更简单、开关更迅速，有效降低开关损耗。无论是用于构建高效的同步整流电路、驱动强劲的直流电机，还是打造高密度的DC-DC电源模块，STP160N3LL都能提供稳定可靠的性能，其TO-220封装确保了出色的散热能力，让您的产品在激烈的市场竞争中凭借高效、可靠的动力核心脱颖而出。