STP16NS25FP

当您的电源转换系统需要在高电压下稳定运行，同时还要兼顾效率与可靠性时，您是否曾为寻找一颗性能与成本完美平衡的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们向您隆重推荐意法半导体的明星产品STP16NS25FP。这颗采用先进MESH OVERLAY技术的N沟道MOSFET，正是为应对严苛的工业环境而生，它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的可靠伙伴。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、电机驱动控制板或是高功率照明驱动器中，STP16NS25FP正以其高达250V的漏源电压和16A的连续电流处理能力，从容应对每一次功率切换。其极低的导通电阻（仅280毫欧），意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更高的系统效率和更低的运营成本。无论是面对-65°C的严寒还是150°C的高温挑战，它都能保持稳定的性能，确保您的设备在各种极端条件下依然坚如磐石。

选择STP16NS25FP，就是选择了一份经得起时间考验的保障。其经典的TO-220FP封装，不仅提供了优异的散热性能，也简化了您的生产装配流程。虽然该型号已进入停产状态，但通过我们值得信赖的ST授权代理，您依然可以获得稳定可靠的货源和全面的技术支持。我们理解，一颗优秀的芯片是您产品的心脏，而我们的价值，就是确保这颗心脏能够持续、有力地跳动，驱动您的创新走向成功。

• 型号:STP16NS25FP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 16A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1270 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STP16NS25FP，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为复杂的功率管理设计而头疼吗？让STP16NS25FP来为您化繁为简！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，是您构建高效、可靠功率系统的核心基石。

它能让您轻松驾驭高达250V的电压和16A的电流，其出色的MESH OVERLAY技术确保了极低的导通损耗，显著提升您的电源转换或电机驱动效率。同时，宽广的工作温度范围（-65°C至150°C）和坚固的TO-220FP封装，让您的产品无惧严苛环境挑战，运行更稳定，寿命更长久。