STP18N60M2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP18N60M2技术参数详情：

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否仍在为功率器件的开关损耗和热管理问题而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的解决方案STP18N60M2。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的MDmesh II Plus技术，为您带来前所未有的性能飞跃。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统效率、降低整体成本、并确保长期稳定运行的关键引擎。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、照明镇流器或电机驱动应用中，STP18N60M2正以其600V的坚固耐压和13A的强大电流处理能力，从容应对各种严苛工况。其极低的导通电阻（Rds(on)）意味着更少的导通损耗，而优化的栅极电荷（Qg）则显著降低了开关损耗，让您的系统在高效与低温间取得完美平衡。无论是工业自动化设备中需要持续可靠运行的电机，还是消费类电子产品中追求轻薄与安静的电源适配器，这颗芯片都能轻松融入，成为提升产品竞争力的核心动力。

选择STP18N60M2，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。其TO-220封装不仅提供了出色的散热性能和便捷的安装方式，更确保了在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作。这意味着您的设计将拥有更强的环境适应性和更长的使用寿命。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，请务必联系专业的ST芯片代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STP18N60M2成为您下一个成功项目的基石，开启高效、可靠、节能的电力转换新篇章。

型号:STP18N60M2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 6.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:791 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:110W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和出色热性能的功率开关吗？STP18N60M2正是为您而来！这颗采用先进MDmesh II Plus技术的600V N沟道MOSFET，拥有低至280毫欧的导通电阻和优化的动态特性，能显著降低开关电源和电机驱动应用中的能量损耗，让您的系统运行更凉爽、更节能。

它具备13A的连续电流能力和坚固的TO-220封装，确保在高功率场景下依然稳定可靠。极低的栅极电荷让驱动设计更轻松，帮助您简化电路、提升开关频率，从而打造出更紧凑、更高效的终端产品。选择STP18N60M2，就是为您的设计注入一颗强劲而高效的“心脏”。