STP22NS25Z

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否还在为寻找一款能在高压大电流场景下稳定发挥的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STP22NS25Z。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其250V的耐压和22A的连续电流能力，早已成为众多工程师心中高效与坚固的代名词。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品性能、确保系统长期稳定运行的信心基石。

想象一下，在开关电源、电机驱动、不间断电源（UPS）或是工业照明镇流器的核心电路中，STP22NS25Z正默默承担着能量高效转换的重任。其MESH OVERLAY技术确保了极低的导通电阻（典型值仅150毫欧），这意味着在导通时更少的能量以热的形式被浪费，直接为您带来更高的系统效率和更低的温升。无论是应对频繁启停的电机控制，还是需要持续可靠供电的服务器电源，它都能游刃有余，让您的设计在激烈的市场竞争中脱颖而出。

选择STP22NS25Z，就是选择了一份经过时间淬炼的可靠性。虽然该型号目前已处于停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用基础，使其在升级换代或特定需求项目中依然极具价值。其TO-220AB的经典封装形式，为散热设计和生产组装提供了极大的便利。高达135W的功率耗散能力，配合宽达-55°C至150°C的工作结温范围，赋予了它应对严苛环境挑战的强悍体质。当您需要为关键项目寻找值得信赖的功率核心时，联系专业的ST代理，获取关于库存、替代方案或技术支持的精准服务，将是确保项目顺利推进的明智之举。

• 型号:STP22NS25Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 22A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:151 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:135W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP22NS25Z，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在设计需要处理高压大电流的电源或驱动电路吗？STP22NS25Z正是为您而生的高效开关。这颗N沟道MOSFET拥有250V的漏源电压和22A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通损耗。得益于先进的MESH OVERLAY技术，它在10V驱动下导通电阻极低，能显著减少开关过程中的能量损失，让您的系统运行更凉爽、效率更高。

它能让您轻松应对开关电源、电机控制、UPS等应用中的功率切换挑战。高达135W的功率耗散和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保了其在各种环境下都能稳定可靠地工作。经典的TO-220AB封装也为您的散热设计和生产装配提供了便利。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏。