STP24NM60N

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗和热管理问题而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变这一局面的解决方案STP24NM60N。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其卓越的MDmesh II技术，将600V的耐压能力与仅为190毫欧的超低导通电阻完美结合，为您带来前所未有的高效率与功率密度。它不仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键引擎。

想象一下，在开关电源、电机驱动、不间断电源（UPS）或照明镇流器等核心应用中，STP24NM60N能够轻松应对严苛的工作环境。其高达17A的连续漏极电流和125W的强大功率处理能力，确保了系统在满载甚至过载情况下的稳定运行。TO-220的经典封装形式，不仅提供了优异的散热性能，也简化了您的生产装配流程。无论是工业自动化设备中的电机控制，还是消费类电子中的高效电源适配器，这颗芯片都能成为您设计中最值得信赖的“功率心脏”，让您的产品在市场中脱颖而出。

选择STP24NM60N，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。其极低的栅极电荷（仅46nC）和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，直接为您带来更高的系统效率和更低的温升。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）赋予了产品无与伦比的环境适应性。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，专业的ST代理商将是您坚实的后盾。立即将STP24NM60N纳入您的下一个设计，亲身体验它如何以卓越的性能和可靠性，为您的产品注入强劲动力，开启能效新纪元。

• 型号:STP24NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP24NM60N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为功率转换效率瓶颈而烦恼吗？STP24NM60N正是为您突破极限而生的利器。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V高耐压和仅190毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关损耗和传导损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它能够轻松处理高达17A的连续电流，并承受125W的功率耗散，为您提供充沛的动力输出和卓越的可靠性。无论是提升现有产品的能效等级，还是开发下一代高性能电力电子设备，STP24NM60N都能让您以更低的系统复杂度和成本，实现更优的性能表现，是工程师应对严苛设计挑战的自信之选。