STP265N6F6AG

当您的下一个汽车电子或工业电源项目，需要一颗能在严苛环境下稳定输出澎湃动力的“心脏”时，您会如何选择？答案就藏在STP265N6F6AG这颗功率开关之中。它不仅仅是一个参数表上的组件，更是意法半导体STripFET F6技术的集大成者，专为应对高电流、高效率的挑战而生。想象一下，在引擎控制单元、电机驱动或是高密度DC-DC转换器中，它能以极低的导通损耗，将电能高效转化为驱动力量，让您的系统性能脱颖而出，同时显著降低热管理负担。

这颗芯片的价值，在电动汽车的OBC（车载充电机）、工业伺服驱动器以及高可靠性不间断电源（UPS）等场景中体现得淋漓尽致。其高达180A的连续漏极电流和仅2.85毫欧的超低导通电阻，意味着在传递相同功率时，能量损耗更少，发热量更低，系统可以运行得更凉爽、更持久。宽广的-55°C至175°C工作结温范围，配合AEC-Q101车规认证，赋予了它无与伦比的坚固性与可靠性，无论是北方严寒还是引擎舱内的高温，它都能稳定工作，是追求零缺陷品质的工程师的安心之选。

选择STP265N6F6AG，就是选择了一种经过市场验证的高性能解决方案。它平衡了开关速度与栅极驱动需求，183nC的栅极电荷优化了驱动电路设计，让开关过程更干净利落，进一步提升整体效率。其经典的TO-220封装也确保了出色的散热能力和便捷的安装工艺。当您致力于打造更高效、更紧凑、更可靠的新一代产品时，这颗芯片提供的不仅仅是参数，更是实现设计目标的强大基石。如需获取正品保障与专业的技术支持，请务必通过官方ST授权代理进行采购，为您的创新保驾护航。

• 型号:STP265N6F6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 180A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.85 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:183 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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还在为寻找一颗能扛大电流、低损耗的功率开关而烦恼吗？让STP265N6F6AG来为您解决核心难题！这颗采用先进STripFET F6技术的N沟道MOSFET，拥有惊人的180A连续电流处理能力和低至2.85毫欧的导通电阻，能显著降低您系统中的传导损耗，提升整体能效，让电源转换和电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

它专为严苛环境设计，通过AEC-Q101车规认证，工作结温高达175°C，确保在汽车电子或工业应用中的极端温度下依然稳定可靠。其优化的栅极电荷特性，让您能轻松设计驱动电路，实现快速干净的开关动作。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、耐用且高效的“动力核心”。