STP270N8F7 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP270N8F7技术参数详情：

在追求极致效率的电力转换世界，您是否还在为功率损耗和散热问题而困扰？想象一下，一个能够承载180A强大电流的开关，其导通电阻却低至惊人的2.5毫欧，这意味着在每一次开关动作中，宝贵的能量都被最大程度地保留，转化为您系统的澎湃动力，而非恼人的热量。这正是STP270N8F7带来的革命性体验，它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升产品能效与可靠性的关键引擎。

无论是驱动高性能的工业电机，还是构建高密度的服务器电源，亦或是为新能源车的大功率DC-DC转换器提供核心开关，STP270N8F7都能游刃有余。其80V的漏源电压和高达315W的功率处理能力，为您的设计提供了宽广的安全裕度和坚实的性能基础。在自动化产线的伺服驱动器里，它确保电机启停精准、响应迅猛；在不间断电源（UPS）系统中，它守护着电能转换的每一刻稳定。选择它，就是为您的关键应用选择了一位沉默而强大的守护者。

为何众多工程师在面临严苛挑战时，会毫不犹豫地选择STP270N8F7？答案在于其背后ST意法半导体顶尖的STripFET VII和DeepGATE技术。这些技术不仅赋予了它超低的Rds(on)，更大幅优化了栅极电荷和开关特性，让您的系统在高速开关时依然保持低损耗与低温升。其坚固的TO-220封装和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，意味着它能适应从酷寒到炎热的任何环境挑战。当您需要可靠的原厂正品和技术支持时，可以随时联系专业的ST代理商，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STP270N8F7成为您下一个明星产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能新纪元。

型号:STP270N8F7
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N CH 80V 180A TO220
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:193 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13600 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:315W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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还在寻找那颗能同时驾驭高电流与高效率的“全能型”功率开关吗？STP270N8F7正是为您而来的解决方案。它集成了180A的连续电流承载能力与低至2.5毫欧的导通电阻，让您轻松实现更低的传导损耗和更高的系统能效，直接将更多电能转化为输出功率，而非无谓的热量。

得益于ST先进的STripFET VII技术，这颗芯片拥有极优的栅极电荷和开关特性，让您的设计在高速开关应用中也能保持稳定与高效。其坚固的TO-220封装和高达315W的功率处理能力，确保它在电机驱动、电源转换等严苛场景下依然游刃有余。选择STP270N8F7，就是为您的产品选择了一个可靠、高效的动力核心。