STP27N3LH5

想象一下，您正在设计的电源转换或电机驱动方案，是否总在效率、散热和成本之间艰难权衡？当传统的功率器件让您的系统变得笨重且发热严重时，STP27N3LH5的出现，就像一道精准而高效的光，为您照亮了更优的路径。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的性能重新定义了30V电压等级应用的能效标准。

这颗芯片的核心魅力，在于它采用了先进的STripFET V技术。这意味着什么？它意味着在您至关重要的开关电源（SMPS）、DC-DC转换器或是电机控制电路中，它能将导通损耗降至极低。其最大仅20毫欧的超低导通电阻，配合高达27A的连续电流处理能力，让能量传输的通道前所未有的顺畅。您得到的将是一个运行更凉爽、效率显著提升的系统，这不仅降低了散热设计的复杂度，更直接延长了终端产品的使用寿命和可靠性。无论是工业自动化设备中驱动伺服电机，还是消费类电子产品的电池管理，它都能游刃有余，确保动力澎湃而稳定。

选择STP27N3LH5，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它拥有宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）和坚固的TO-220AB封装，能够从容应对各种苛刻的环境挑战。其优化的栅极电荷（Qg）特性，让驱动变得异常简单高效，有助于您简化外围电路设计，加速产品上市进程。虽然该型号目前已停产，但其成熟的设计和出色的性能使其在诸多现有项目和备件供应中依然极具价值。为确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST代理进行咨询与采购，他们能为您提供可靠的供应链保障与深度的应用指导。让这颗经典的功率器件，成为您打造高效、可靠电力系统的坚实基石。

• 型号:STP27N3LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 27A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:475 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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还在为功率转换电路的效率瓶颈而烦恼吗？STP27N3LH5正是为您破解这一难题的利器。这颗N沟道MOSFET拥有30V的耐压和高达27A的电流承载能力，其核心价值在于采用STripFET V技术实现的超低导通电阻（仅20毫欧），能显著降低开关损耗和发热，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松驾驭DC-DC转换、电机控制、负载开关等应用。优异的栅极特性使驱动设计更为简单，有助于您精简电路、节省空间。选择它，就是为您的产品注入了强劲而可靠的“动力心脏”，全面提升系统能效与稳定性。