STY105NM50N

当您的工业电源或电机驱动系统需要面对严苛的电压与电流挑战时，您是否在寻找一颗既能扛住高压冲击，又能将能量损耗降至最低的“心脏”级功率器件？答案就在STY105NM50N。这颗来自意法半导体MDmesh II家族的N沟道MOSFET，以其500V的坚固耐压和高达110A的连续电流承载能力，为您的高功率应用构筑了坚不可摧的第一道防线。它不仅仅是一个开关，更是您系统效率与可靠性的基石，让每一次能量转换都精准而有力。

想象一下，在服务器电源、工业焊接设备或大功率不间断电源(UPS)的核心电路中，STY105NM50N正扮演着关键角色。它卓越的导通电阻（低至22毫欧）意味着在高压大电流工况下，由它产生的热量损耗被大幅削减，直接转化为更低的运营成本和更长的设备寿命。无论是驱动重型电机时的瞬间启动，还是在电源模块中进行高频开关，它都能保持稳定高效的性能，确保您的终端产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的能效和可靠性脱颖而出。

选择STY105NM50N，就是选择了一份经过市场验证的卓越基因。MDmesh II技术赋予了它极低的栅极电荷和优化的动态特性，这不仅简化了您的驱动电路设计，更能显著提升系统的整体开关频率和响应速度。其坚固的MAX247封装确保了卓越的热性能，即使在-55°C至150°C的广阔温度范围内，也能稳定工作，无惧环境挑战。当您需要可靠的原厂货源与专业的技术支持时，我们的ST代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的一站式服务。让STY105NM50N成为您下一个成功产品的强大引擎，开启高效、可靠的能量管理新篇章。

• 型号:STY105NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 110A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 52A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:326 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STY105NM50N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高功率应用中的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STY105NM50N为您带来颠覆性的解决方案。这颗N沟道MOSFET集500V高耐压与110A大电流于一身，其核心的MDmesh II技术将导通电阻降至惊人的22毫欧，能显著减少开关和传导损耗，直接为您降低系统温升，提升整体能效。

它能让您轻松驾驭工业电源、电机驱动等高要求场景。优异的栅极电荷特性让驱动设计更简单，开关更迅速；而坚固的封装和宽广的工作温度范围，则确保了它在各种严苛环境下都能稳定可靠地运行。选择STY105NM50N，就是为您的产品注入一颗高效、可靠的“强芯”。