STP30N20

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款能在高压大电流场景下稳定工作的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场长期验证的卓越解决方案STP30N20。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其200V的耐压能力和高达30A的连续漏极电流，为您的设计注入强劲而稳定的动力核心。它不仅仅是一个开关，更是提升系统整体效率、确保长期可靠运行的关键所在。

想象一下，在开关电源的初级侧，需要快速而精准地控制能量流动；在马达驱动电路中，要承受频繁启停带来的电流冲击；在工业照明或功率转换模块里，高温环境对器件的稳定性提出了严苛考验。这正是STP30N20大显身手的舞台。它采用成熟的TO-220AB封装，便于安装和散热，其低至75毫欧的导通电阻（在15A，10V条件下）意味着更低的导通损耗，能将更多电能高效地传递给负载，而不是白白转化为热量。高达125W的功率耗散能力，配合-55°C到150°C的宽广工作结温范围，赋予了它应对严酷工作条件的强大底气，让您的产品在竞争中脱颖而出。

选择STP30N20，就是选择了一份源自ST意法半导体STripFET技术的品质承诺。虽然该型号目前已停产，但其卓越的性能和可靠性在存量市场和特定延续性项目中依然拥有不可替代的价值。对于寻求稳定供应与专业支持的工程师而言，通过值得信赖的ST代理商进行咨询与采购，是获取正品货源、获得完整技术资料与库存信息的最佳途径。这颗芯片承载的不仅是参数，更是经过无数应用验证的安心与价值。它能让您的设计简化，让系统运行更高效、更冷静，最终帮助您打造出更强大、更耐用的终端产品，赢得市场的长久信赖。

• 型号:STP30N20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 30A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1597 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP30N20，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任的“电力开关”吗？STP30N20正是为此而生！这颗N沟道MOSFET拥有200V的耐压和30A的连续电流处理能力，让您在设计开关电源、电机驱动或功率转换电路时，能够轻松应对核心的功率切换任务。

得益于STripFET技术和低至75毫欧的导通电阻，它能显著降低导通损耗，提升整体能效，让您的系统运行更“冷静”。TO-220AB的经典封装形式，兼顾了安装便利性与出色的散热能力，配合125W的功率耗散上限，确保它在各种挑战性环境中都能稳定工作，助您构建高效可靠的电力核心。