STU2N80K5

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？当800V的严苛电压环境遇上紧凑的空间布局，传统的解决方案往往在效率与散热之间难以两全。现在，这一切都将被重新定义我们隆重推出意法半导体SuperMESH5家族中的高压开关利器：STU2N80K5。它不仅是一颗MOSFET，更是您实现高效、紧凑、可靠电源系统的核心引擎。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器应用中，这颗芯片将如何大显身手。其800V的卓越耐压能力，让它在面对电网波动或感性负载冲击时稳如磐石，为系统构筑起第一道安全防线。而仅4.5欧姆的低导通电阻（在1A, 10V条件下），意味着更低的传导损耗，电能得以更高效地传递，直接转化为更低的温升和更高的整体效率。无论是需要长时间连续运行的工业设备，还是对温升极其敏感的消费类电子产品，STU2N80K5都能游刃有余，确保系统在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作。

选择STU2N80K5，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它传承了意法半导体SuperMESH5技术的精髓，通过优化的单元结构和工艺，在高压、低损耗和快速开关特性之间取得了完美平衡。其极低的栅极电荷（仅9.5nC）和输入电容，显著降低了驱动电路的负担，让开关速度更快，开关损耗更低，特别适合高频开关应用。采用经典的TO-251（IPAK）封装，在提供高达45W散热能力的同时，保持了通孔安装的便利性与坚固性，简化您的生产流程。当您需要可靠的原厂货源与专业的技术支持时，我们的合作伙伴专业的ST代理随时准备为您提供从选型到量产的全方位服务。让STU2N80K5成为您下一个成功设计的强大心脏，开启高效节能的新篇章。

• 型号:STU2N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:105 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 现在可以订购STU2N80K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压应用中的开关损耗和可靠性头疼吗？让STU2N80K5为您带来变革性的解决方案。这颗基于先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固耐压和仅4.5欧姆的低导通电阻，能显著降低您的系统传导损耗，提升整体能效，让电源运行更凉爽、更持久。

它专为高效开关而优化，极低的栅极电荷让驱动变得轻松，助力您实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，降低系统成本。无论是开关电源、电机控制还是LED照明，STU2N80K5都能以2A的连续电流能力和宽泛的工作温度范围，确保您的产品在各种环境下稳定高效地运行。