STP42N65M5

当您的下一个电源设计项目面临效率与可靠性的双重挑战时，您是否在寻找一颗能同时驾驭高电压与大电流，且能保持冷静与高效的“核心引擎”？答案或许就藏在STP42N65M5之中。这颗来自ST意法半导体MDmesh V家族的N沟道功率MOSFET，以其650V的卓越耐压能力和33A的连续漏极电流，为您的高要求应用铺平了道路。它不仅仅是一个开关，更是提升系统整体能效、缩小体积并增强可靠性的关键所在。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)或高功率LED照明驱动器中，能量转换的每一个环节都至关重要。STP42N65M5凭借其先进的MDmesh V技术，实现了极低的导通电阻（典型值远低于79毫欧），这意味着在导通状态下更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更高的系统效率和更低的运营成本。其优化的栅极电荷（Qg）和电容特性，让开关过程更加迅速、干净，减少了开关损耗，使得高频开关电源设计变得游刃有余，轻松应对现代电力电子对功率密度和动态响应日益增长的需求。

选择STP42N65M5，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺与性能保障。其坚固的TO-220封装确保了出色的散热能力，结合高达150°C的结温工作范围，赋予了产品在严苛环境下稳定运行的强大底气。无论是为了提升现有产品的市场竞争力，还是为了攻克全新的设计难题，这颗芯片都能成为您值得信赖的伙伴。如需获取正品保障与专业的技术支持，我们推荐您通过官方ST授权代理进行采购，确保您的项目从源头就赢在起跑线上。让STP42N65M5的强大性能，为您的创意注入源源不断的动力，共同开启高效、可靠的电能新纪元。

• 型号:STP42N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:79 毫欧 @ 16.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4650 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP42N65M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在为高功率、高电压的开关电源寻找一颗性能强悍且可靠的核心开关器件吗？STP42N65M5正是为您而来。这颗650V/33A的N沟道MOSFET，采用ST先进的MDmesh V技术，能显著降低导通和开关损耗，让您的电源设计轻松实现更高的效率与功率密度。

它卓越的电气特性，如低至79毫欧的导通电阻和优化的栅极电荷，意味着更少的发热和更快的开关速度。无论是用于服务器电源、工业驱动还是UPS系统，STP42N65M5都能帮助您构建更紧凑、更高效、运行更稳定的解决方案，大幅提升终端产品的市场竞争力。