STP45N65M5

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时驾驭650V高压和35A大电流的功率开关，其导通电阻低至惊人的78毫欧，这不仅仅是参数的提升，更是系统效率和可靠性的革命性飞跃。这就是STP45N65M5为您带来的核心价值它基于意法半导体引以为傲的MDmesh V技术，专为征服苛刻的高压应用而生。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断进化的电动汽车充电桩和太阳能逆变器，STP45N65M5都能游刃有余。它卓越的快速开关特性与极低的栅极电荷（仅91nC），让您的系统开关频率得以提升，从而可以使用更小、更轻的磁性元件和滤波电容，直接助力产品实现小型化和轻量化。其高达210W的功率处理能力和150°C的结温，意味着它在严酷环境下依然稳定如山，大幅延长了设备的使用寿命，降低了您的维护成本和风险。

选择STP45N65M5，就是选择了一份经得起未来考验的保障。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品市场竞争力的战略伙伴。其经典的TO-220封装兼顾了优异的散热性能和广泛的工艺兼容性，让您的设计升级无缝衔接。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的ST芯片代理团队将全程为您服务，确保您能心无旁骛地专注于创新。立即采用STP45N65M5，让它成为您下一代高性能电源设计的强大心脏，共同开启高效、可靠的新篇章。

• 型号:STP45N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 35A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:78 毫欧 @ 19.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3375 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP45N65M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静与高效的功率开关吗？STP45N65M5正是您的理想之选。这颗采用先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和35A的强劲电流通过能力，其超低的导通电阻（仅78毫欧）能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更节能。

它具备快速开关和低栅极电荷的特性，让您轻松提升系统工作频率，从而优化磁性元件尺寸，实现更紧凑的产品设计。高达210W的功率耗散能力和150°C的工作结温，确保了它在高负荷下的长期稳定运行。选择STP45N65M5，就是为您的应用注入一颗强大、可靠且高效的核心动力。