STP4N90K5

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，工程师们是否常常面临高压开关损耗与系统稳定性的双重挑战？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STP4N90K5。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其900V的超高耐压和仅2.1欧姆的低导通电阻，为您的高压应用注入强劲动力。它不仅仅是又一个元器件，更是您提升产品性能、降低整体能耗、并确保长期稳定运行的关键伙伴。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是照明镇流器中，STP4N90K5正发挥着核心作用。它卓越的MDmesh K5技术平台，专为优化开关性能而生，能显著降低开关损耗和传导损耗。这意味着您的设备可以在更宽的温度范围（-55°C至150°C）内高效工作，无论是工业电机驱动、UPS不间断电源，还是新能源领域的逆变器，它都能轻松应对严苛环境，提供持久可靠的开关性能，让您的终端产品在市场上更具竞争力。

选择STP4N90K5，就是选择了一份来自技术前沿的保障。其TO-220封装不仅便于安装和散热，更能承受高达60W的功率耗散，确保系统在高负载下依然冷静运行。更低的栅极电荷（Qg仅5.3nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的设计在效率上快人一步。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道，我们的ST一级代理身份能确保您获得正品货源与全面的技术支持。让STP4N90K5成为您下一个成功设计的基石，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STP4N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 3A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:173 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP4N90K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压电源设计的效率瓶颈而烦恼吗？STP4N90K5正是为您破局而来的利器。这颗基于先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有900V的惊人耐压和仅3A（Tc）下的低导通电阻，核心使命就是让您轻松实现高效、低损耗的电能转换。

它能够显著降低开关电源（SMPS）、PFC电路中的开关损耗和传导损耗，帮助您的设备提升整体能效。其优化的动态性能和稳健的TO-220封装，确保系统在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定运行，功率耗散能力高达60W。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能心脏，让设计更高效，让产品更可靠。