STP50NE08

当您的电源转换系统需要兼顾高效率与高可靠性时，是否曾为寻找一颗性能与成本完美平衡的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重向您介绍STP50NE08，这颗源自ST意法半导体的经典N沟道MOSFET，以其80V的耐压和高达50A的连续电流承载能力，为您的高功率应用注入强劲而稳定的核心动力。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统能效、简化热管理设计的得力助手。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或大功率DC-DC转换器中，电流的每一次通断都关乎系统的整体效率与稳定性。STP50NE08凭借其低至24毫欧的导通电阻（Rds(on)），能显著降低导通损耗，将更多电能高效地输送给负载，而非转化为无谓的热量。这意味着，您的设备可以在更凉爽、更安静的状态下持续运行，同时延长关键元器件的使用寿命。其高达150W的功率耗散能力和175°C的结温，赋予了它卓越的过载和高温工作韧性，即使在严苛的工业环境中也能游刃有余。

选择STP50NE08，就是选择了一份经过市场长期验证的可靠性与ST品牌的技术底蕴。虽然该型号目前已处于停产状态，但其成熟的性能参数和广泛的应用基础，使其成为许多经典设计升级或备货的优选。其标准的TO-220AB封装，便于安装和散热处理，能轻松融入您现有的生产流程。为了确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST代理进行采购，这不仅是品质的保障，更是项目顺利推进的坚实后盾。让这颗久经考验的功率芯片，成为您打造高效、耐用电力电子产品的秘密武器。

• 型号:STP50NE08
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 50A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP50NE08，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您是否正在寻找一颗能轻松驾驭大电流、同时保持极低损耗的功率开关？STP50NE08正是为您的高要求应用而生。这颗N沟道MOSFET拥有80V的漏源电压和50A的连续电流能力，其核心魅力在于仅24毫欧的超低导通电阻，能大幅减少开关过程中的能量损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它采用坚固的TO-220AB通孔封装，散热性能优异，结合高达150W的功率耗散能力，确保在重载或高温环境下依然稳定可靠。无论是升级现有设计还是为经典方案备货，选择STP50NE08，就是选择了一份由ST意法半导体提供的卓越性能与耐久性承诺。