STP5N62K3

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与低损耗的“心脏”？这正是STP5N62K3诞生的使命。作为ST意法半导体SuperMESH3家族的杰出成员，它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升系统能效、简化散热设计的强大引擎。其620V的卓越耐压能力和仅为1.6欧姆的低导通电阻，意味着在严苛的开关电源应用中，它能显著降低导通损耗，将更多电能高效转化为输出，而非无谓的热量，直接为您的产品带来更长的寿命和更稳定的性能。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是照明镇流器设计中，STP5N62K3正以其稳健的表现默默守护着系统的核心。它高达4.2A的连续电流承载能力，配合TO-220AB经典的封装形式，确保了强大的功率吞吐与便捷的安装散热。无论是应对工业电机驱动中的瞬间冲击，还是保障家用电器待机模式下的极低功耗，这颗芯片都能游刃有余。其优化的栅极电荷（Qg）特性，让驱动电路设计更为轻松，有效降低了开关损耗，提升了整体频率响应，让您的产品在能效竞赛中快人一步。

选择STP5N62K3，就是选择了一份源自ST尖端SuperMESH3技术的品质承诺。它能在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，赋予了产品应对极端环境变化的坚韧底气。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、卓越的性能和广泛的市场验证，使其成为特定升级或延续性项目的可靠之选。通过与值得信赖的ST芯片代理合作，您不仅能获得这颗性能经典的器件，更能获取完整的技术支持与供应链保障，确保您的项目从设计到量产一路畅通。让STP5N62K3成为您经典设计中那颗历久弥新的“效能基石”，助力您的产品在市场中持续闪耀。

• 型号:STP5N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 4.2A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:680 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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您正在寻找一颗能轻松应对中高功率开关应用，同时兼顾高效与可靠的N沟道MOSFET吗？STP5N62K3正是为您而来的解决方案。它拥有620V的高耐压和4.2A的强电流能力，核心的SuperMESH3技术使其导通电阻低至1.6欧姆，能显著减少功率损耗，让您的电源转换效率大幅提升，设备运行更凉爽、更持久。

这颗芯片的栅极驱动特性经过优化，开关速度快，损耗低，让您能设计出更紧凑、响应更迅捷的电路。采用坚固的TO-220AB封装，安装方便，散热性能优异，确保它在各种严苛环境下都能稳定工作。选择STP5N62K3，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏，轻松驾驭从工业电源到高级照明驱动的各种挑战。