STP5N80K5

当您需要一款能够在高压环境下稳定运行，同时兼顾效率与可靠性的功率开关解决方案时，您会如何选择？答案或许就藏在STP5N80K5这颗卓越的功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、降低系统复杂性的得力助手。凭借其高达800V的漏源电压和4A的连续漏极电流能力，它为您打开了通往更高效、更紧凑电源设计的大门，让您在激烈的市场竞争中，拥有一个坚实而强大的技术内核。

想象一下，在开关电源、电机驱动、照明镇流器或工业逆变器等关键应用中，每一次开关动作都关乎着系统的整体效率与寿命。STP5N80K5正是为此类严苛场景而生。它采用意法半导体引以为傲的MDmesh技术，这项技术如同为芯片注入了高效能的基因，能够显著降低导通电阻，在2A电流、10V驱动电压下，其RdsOn最大值仅为1.75欧姆。这意味着更低的导通损耗，更少的热量产生，从而让您的设备运行得更凉爽、更持久。无论是面对频繁启停的电机控制，还是需要稳定输出的AC-DC转换，它都能游刃有余，确保能量以最高效的方式传递。

选择STP5N80K5，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），意味着它拥有极快的开关速度，能够轻松应对高频开关需求，进一步提升系统整体效率。TO-220的经典封装形式，不仅提供了优异的散热性能，其高达60W的功率耗散能力也确保了在宽温范围（-55°C至150°C）内的稳定工作。当您通过值得信赖的ST代理渠道获取这颗芯片时，您获得的不仅是产品本身，更是从设计支持到稳定供货的全方位保障。它将复杂的功率管理化繁为简，让您能够更专注于产品创新与功能实现，用可靠的性能为您的终端产品注入强大竞争力。

• 型号:STP5N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.75 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:177 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP5N80K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压应用的开关损耗和散热问题烦恼吗？让STP5N80K5来为您解决！这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，是您构建高效、可靠电源系统的核心之选。它拥有800V的耐压和4A的电流处理能力，采用先进的MDmesh技术，能显著降低导通电阻，从而减少能量损耗，让您的设备运行更高效、发热更少。

它能让您轻松驾驭开关电源、电机控制等高要求场景。极低的栅极电荷确保了快速的开关响应，而经典的TO-220封装则提供了出色的散热性能。选择它，就是选择用一颗高度集成的芯片，简化您的设计，提升产品的整体能效和可靠性，助您在市场中脱颖而出。