STP70N10F4

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款既能承载大电流，又能保持超低导通损耗的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STP70N10F4。这款来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其100V的耐压和高达65A的连续漏极电流能力，天生就是为高效能量转换而生的强者。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体效率、降低运行成本的关键钥匙。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或DC-DC转换器中，STP70N10F4正在核心位置默默工作。得益于其先进的STripFET和DeepGATE技术，它在导通时仅产生极低的19.5毫欧电阻，这意味着更少的热量产生和更高的电能利用率。无论是驱动工业电机、构建可靠的UPS系统，还是为服务器电源提供稳定的能量通道，它都能轻松应对，确保您的设备在-55°C到175°C的宽广温度范围内稳定运行，将功率耗散带来的挑战降至最低。

选择STP70N10F4，就是选择了一份经过时间考验的可靠性与卓越性能的完美结合。它经典的TO-220封装，为工程师提供了熟悉的安装与散热方案，极大简化了从设计到生产的流程。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用基础，使其在存量市场、特定项目或对经典设计有延续性需求的场景中，依然拥有不可替代的价值。当您需要获取这款经典器件或寻求技术支援时，可以信赖专业的ST中国代理，他们能为您提供可靠的供应链支持与深入的产品知识，助您的项目稳健前行。

• 型号:STP70N10F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 65A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:85 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP70N10F4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起大功率转换重任的“核心引擎”吗？STP70N10F4正是这样一款为您而生的功率MOSFET。它拥有100V的坚固耐压和65A的强大电流吞吐能力，让您在设计大功率开关电源、电机控制器或逆变器时信心十足。

这颗芯片的核心价值在于其极高的效率。它采用先进的STripFET技术，导通电阻低至惊人的19.5毫欧，这意味着在通过大电流时，能量损耗被大幅削减，发热更少，系统运行更凉爽、更高效。配合10V的标准驱动电压和优化的栅极电荷，它能实现快速、干净的开关动作，让您的电源设计不仅功率强劲，而且响应敏捷。

无论是应对严苛的工业环境，还是追求极致的能源效率，STP70N10F4都能以其150W的强大功率处理能力和宽广的工作温度范围，成为您项目中可靠而高效的功率开关选择，助您轻松攻克能效挑战。