STW13N95K3

当您的电源设计面临高压、高功率的严苛挑战时，是否曾为寻找一颗既能扛住950V高压冲击，又能保持高效稳定运行的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体SuperMESH3家族的明星产品STW13N95K3。这不仅仅是一颗MOSFET，更是您构建坚固、高效电源系统的基石。它凭借950V的超高漏源电压和10A的连续漏极电流能力，为您的高压应用场景提供了前所未有的安全裕度和可靠性保障，让您在激烈的市场竞争中，凭借产品的卓越性能和稳定性脱颖而出。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)乃至新能源领域的太阳能逆变器中，STW13N95K3正发挥着核心作用。其卓越的SuperMESH3技术，将导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）实现了精妙的平衡。这意味着在开关过程中，它既能有效降低导通损耗，带来更高的系统效率，又能减少开关损耗，让您的电源系统运行得更凉爽、更安静。高达190W的功率耗散能力，配合TO-247-3的经典封装，确保了出色的散热性能，即使在-55°C到150°C的宽广结温范围内，也能稳定工作，从容应对各种恶劣环境。

选择STW13N95K3，就是选择了一份经得起时间考验的卓越与安心。它代表了意法半导体在高压功率器件领域深厚的技术积淀。虽然该型号已不适用于全新设计，但对于大量正在生产或需要长期稳定供应的成熟产品而言，它依然是经过市场验证的可靠之选。为了确保您能获得正品保障和稳定的供货支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购。这不仅是对您产品品质的负责，更是项目长期顺利推进的关键。让STW13N95K3成为您动力核心中那颗最强劲、最可靠的心脏，驱动您的产品迈向更高峰。

• 型号:STW13N95K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 10A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1620 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW13N95K3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在为高压电源转换寻找一颗性能强悍、稳定可靠的“开关”吗？STW13N95K3正是为您而来的解决方案。这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有950V的惊人耐压和10A的电流处理能力，让您在设计工业电源、电机驱动或光伏逆变器时，轻松应对高压挑战，为系统奠定坚实的安全基础。

它不仅仅参数亮眼，更注重实际效能。其优化的850毫欧导通电阻与仅51nC的低栅极电荷完美结合，能显著降低导通与开关损耗，从而提升整体系统效率，让您的设备运行更节能、发热更少。TO-247-3封装提供了卓越的散热路径，确保芯片在高达190W的功率下依然稳定工作。选择STW13N95K3，就是选择让您的产品在效率、可靠性和功率密度上获得全面升级。