STP80N70F6

在追求极致能效的电力转换系统中，您是否曾为功率器件的导通损耗和开关性能而困扰？想象一下，一款能够在68V电压下承载96A电流的功率MOSFET，其导通电阻低至惊人的8毫欧，这不仅仅是一个参数，更是系统效率跃升的关键。今天，我们向您隆重介绍意法半导体的明星产品STP80N70F6，它将用卓越的性能，重新定义您对中压大电流应用的期待。

得益于先进的STripFET VI技术和DeepGATE工艺，STP80N70F6在导通电阻（RDS(on)）与栅极电荷（Qg）之间取得了绝佳的平衡。这意味着在开关电源、电机驱动或DC-DC转换器等高频应用场景中，它不仅能大幅降低导通损耗，更能显著提升开关速度，减少开关损耗。无论是工业自动化中驱动强劲电机，还是服务器电源中实现高效电能转换，这颗芯片都能确保系统运行更凉爽、更稳定、更持久。其高达110W的功率耗散能力和宽广的-55°C至175°C结温工作范围，赋予了它应对严苛环境与突发过载的非凡韧性。

选择STP80N70F6，就是选择了一份可靠的性能保障。它采用经典的TO-220封装，便于安装和散热设计，极大简化了您的生产流程。更低的栅极阈值电压和优化的动态参数，让驱动电路设计变得更为轻松，有效降低了系统整体复杂性和成本。当您需要稳定、高效且具成本效益的功率解决方案时，STP80N70F6无疑是您的不二之选。如需获取官方正品与技术支援，请务必通过授权的ST代理进行采购，确保产品品质与项目成功。让STP80N70F6成为您下一个明星产品的强大心脏，共同开启高效节能的新篇章。

• 型号:STP80N70F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 68V 96A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:68 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):96A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 48A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:99 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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您正在寻找一颗能同时驾驭高电流与高效率的功率开关吗？STP80N70F6正是为您而来。这颗采用N沟道技术的MOSFET，拥有68V的漏源电压和高达96A的连续漏极电流，其核心魅力在于仅8毫欧的超低导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它集成了ST先进的STripFET VI与DeepGATE技术，不仅实现了优异的开关性能（栅极电荷仅99nC），还确保了在-55°C至175°C的极端温度下的稳定工作。无论是用于提升工业设备的能效，还是强化消费电子的可靠性，STP80N70F6都能让您轻松应对设计挑战，以更少的能量损耗，释放更大的功率潜能。