STP95N2LH5

想象一下，您的下一个电源管理或电机驱动项目，能否在效率和成本之间找到完美的平衡点？这正是STP95N2LH5这款功率MOSFET为您带来的核心价值。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统性能、降低整体能耗的得力助手。源自ST意法半导体备受赞誉的STripFET V技术平台，这颗芯片在25V的电压等级下，能够持续承载高达80A的强大电流，而其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动下可低至惊人的4.9毫欧。这意味着什么？意味着更低的传导损耗，更少的热量产生，以及最终为您带来的更高系统效率和更长的产品寿命。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是电动工具、无人机电机驱动中需要瞬间爆发力的场景，STP95N2LH5都能游刃有余。其高达175°C的结温工作范围和优化的栅极电荷（Qg）特性，确保了它在高频开关应用中的稳定与可靠，让您的设计在面对复杂工况时依然从容不迫。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏，让能量转换过程变得前所未有的顺畅。

那么，为什么众多工程师在面临选型时，会倾向于STP95N2LH5呢？答案在于它卓越的综合性能与可靠性。极低的导通电阻直接转化为更低的功率损耗，这不仅节省了能源，也简化了散热设计，可能为您省去额外的散热片成本。其坚固的TO-220AB封装，历经市场验证，提供了出色的机械强度和散热能力。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST芯片代理渠道，您依然可以获得稳定库存，用于现有产品的维护或特定批次的量产，确保供应链的连续性。这是一款经过实战检验的经典器件，其性能参数至今在同级别产品中依然极具竞争力，是追求高性价比与高可靠性的不二之选。

• 型号:STP95N2LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 25V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.9 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.4 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1817 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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还在为寻找一颗能兼顾大电流与低损耗的开关器件而烦恼吗？让STP95N2LH5来为您解决难题！这颗采用先进STripFET V技术的N沟道MOSFET，旨在让您的电源转换和电机控制应用运行得更高效、更凉爽。其仅4.9毫欧的超低导通电阻，能显著减少能量在开关过程中的损耗，直接提升您的系统整体效率。

它能够轻松驾驭高达80A的连续电流，并支持快速的开关频率，是同步整流、DC-DC转换器和电机驱动电路的理想核心。无论是应对工业设备的持续运行，还是满足消费电子产品的紧凑型设计，STP95N2LH5都能提供稳定可靠的性能，让您的产品在激烈的市场竞争中凭借优异的能效表现脱颖而出。