STP9NK60ZFP

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时驾驭600V高压与7A电流，却将导通电阻控制在极低水平的功率MOSFET，将为您的产品带来怎样的性能飞跃与成本优化？答案就藏在STP9NK60ZFP这颗卓越的芯片之中。

源自ST意法半导体备受赞誉的SuperMESH技术平台，这款N沟道MOSFET天生就是为了高效与可靠而生。其950毫欧的超低导通电阻（Rds(on)）意味着在导通状态下更少的能量以热的形式浪费，直接转化为更高的系统效率和更低的运行温度。搭配仅53nC的低栅极电荷，它能够实现极其迅速和干净的开关动作，这不仅减少了开关损耗，还显著降低了电磁干扰（EMI），让您的设计更容易通过严格的认证标准。无论是面对-55°C的严寒还是150°C的酷热，它都能稳定工作，其坚固性为您的产品提供了全天候的保障。

这种强大的性能组合，让STP9NK60ZFP成为众多中高功率应用的理想心脏。在开关电源（SMPS）中，它是PFC（功率因数校正）和主开关拓扑的得力干将，助力服务器电源、工业电源实现80Plus金牌乃至铂金级别的效率。在电机驱动领域，从家用变频空调、洗衣机到工业风扇、泵类控制，它都能提供平滑而有力的驱动，提升能效并降低噪音。此外，在照明解决方案如LED驱动、电子镇流器中，其高效开关特性也是提升整体光效和可靠性的关键。选择它，就是为您的产品注入了高效、静音与长寿的基因。

那么，在众多同类产品中，为何最终锁定STP9NK60ZFP？这不仅仅因为它来自全球半导体领袖ST，更在于其无与伦比的性价比和经过市场验证的卓越表现。它将高压能力、可观电流与超低损耗完美平衡，让您无需在性能与成本间艰难妥协。TO-220FP封装提供了优异的散热能力和通孔安装的便利性，简化了生产与维护。当您需要可靠的原厂货源和专业的技术支持时，我们的ST一级代理身份确保了您能获得正品保障和快速响应的服务。选择STP9NK60ZFP，不仅是选择了一颗组件，更是选择了一个能提升产品竞争力、加速项目成功的强大伙伴。

• 型号:STP9NK60ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1110 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STP9NK60ZFP，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您是否正在寻找一颗能扛起高压、通大电流，同时还能保持冷静高效的功率开关？STP9NK60ZFP正是为您而来的解决方案。这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和7A的连续电流能力，其核心魅力在于仅950毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉快、更节能。

它不仅仅参数强悍，更注重实际应用体验。低至53nC的栅极电荷确保了极快的开关速度，帮助您轻松优化开关损耗并降低电磁干扰。无论是用于构建高效的开关电源、驱动变频家电中的电机，还是作为LED驱动的核心开关，STP9NK60ZFP都能让您的设计性能脱颖而出，可靠性经久耐用。