STP9NK65Z - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP9NK65Z技术参数详情：

当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定高效，同时还要控制成本和体积时，您是否感到选择变得困难？这正是STP9NK65Z大显身手的舞台。作为意法半导体SuperMESH家族的明星成员，这颗功率MOSFET以其650V的卓越耐压能力和仅为1.2欧姆的低导通电阻，为您带来了性能与可靠性的双重飞跃。它不仅仅是一个开关，更是您系统效率的守护者，能将能量损耗降至最低，让宝贵的电能更多地转化为实际输出，而不是无谓的热量。

想象一下，在开关电源、电机驱动、照明镇流器或工业逆变器中，稳定与高效是生命线。STP9NK65Z凭借其N沟道设计和10V的标准驱动电压，让您的控制电路设计变得异常简洁。其高达6.4A的连续漏极电流和125W的强大功率处理能力，意味着它能够轻松驾驭从家用电器到专业设备的各类中高功率应用场景。无论是应对频繁的开关动作，还是承受持续的电流负载，它都能游刃有余，确保您的产品在严苛环境下依然表现如一。

选择STP9NK65Z，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。意法半导体的SuperMESH技术确保了器件在高压下依然拥有极低的栅极电荷和输入电容，这直接转化为更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统整体效率再上一个台阶。其TO-220AB的经典封装，不仅提供了出色的散热性能，也保证了与现有生产线的完美兼容。当您需要可靠的原厂正品和技术支持时，遍布全球的ST代理商网络是您坚实的后盾。从提升产品竞争力到优化供应链，STP9NK65Z都是那个能让您的设计脱颖而出、赢得市场的关键组件。

型号:STP9NK65Z
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 650V 6.4A TO220AB
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1145 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:125W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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还在为高压应用的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让STP9NK65Z来为您破局！这颗来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，集成了先进的SuperMESH技术，为您提供高达650V的漏源电压和仅1.2欧姆的低导通电阻。这意味着它能帮助您轻松构建高效、可靠的电源开关路径，显著降低导通损耗，让系统运行更凉爽，能效比更高。

它能在-55°C至150°C的宽温范围内稳定工作，并凭借TO-220AB封装实现出色的功率耗散（最高125W）。无论是用于开关电源、电机控制还是照明驱动，STP9NK65Z都能让您的设计更简洁，性能更强劲，助您快速将高效可靠的产品推向市场。