STQ1NC45R-AP - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STQ1NC45R-AP技术参数详情：

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源转换方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？想象一下，一颗集高耐压与低导通电阻于一身的关键器件，如何能成为您产品性能跃升的支点。这正是STQ1NC45R-AP带来的核心价值它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是意法半导体SuperMESH技术家族的杰出代表，专为要求苛刻的高压、高效率应用而生。

当您在设计离线式开关电源、LED驱动或家用电器中的辅助电源时，450V的漏源电压（Vdss）为您提供了宽裕的安全余量，从容应对电网波动。而500mA的连续漏极电流能力，结合低至4.5欧姆的导通电阻，意味着在导通状态下，能量能以更低的损耗通过，直接转化为更低的温升和更高的系统整体效率。这颗芯片的卓越之处还在于其快速的开关特性，仅7nC的低栅极电荷（Qg）和160pF的输入电容，让驱动电路设计更简单，开关速度更快，进一步减少了开关过程中的能量损失。

无论是工业控制板上的功率开关，还是消费电子中需要精密控制的功率部分，STQ1NC45R-AP都能无缝融入。其经典的TO-92-3通孔封装，兼顾了成熟的工艺与可靠的散热性能，3.1W的功率耗散能力确保了在严苛环境下的稳定运行，工作温度范围低至-65°C，高至150°C，赋予了产品从寒带到热带的全天候适应力。选择它，就是选择了一份经过市场验证的可靠性。我们作为专业的ST中国代理，不仅提供正品保障，更能为您提供深度的技术支持和灵活的供应链服务，让您的创新之路没有后顾之忧。

归根结底，选型就是选择伙伴。在众多MOSFET中，STQ1NC45R-AP以其在高压、低损耗、高可靠性三者间取得的精妙平衡脱颖而出。它让您的设计摆脱平庸，在效率竞赛中领先一步，在成本控制中更具优势。让这颗蕴含尖端SuperMESH技术的芯片，成为您下一款明星产品中默默奉献却至关重要的英雄。

型号:STQ1NC45R-AP
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-92-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3
包装:剪切带（CT）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:450 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.7V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:3.1W（Tc）
工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-92-3
封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
现在可以订购STQ1NC45R-AP，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务，同时保持极高效率的“核心开关”吗？STQ1NC45R-AP正是您的理想之选。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有450V的高耐压和500mA的电流能力，其采用的SuperMESH技术显著降低了导通电阻，让电流通过更顺畅，电能损耗大幅减少，直接为您带来更凉爽、更高效的电源系统。

它能让您的产品设计事半功倍。极低的栅极电荷和输入电容，意味着您可以用更简单的驱动电路实现快速、干净的开关动作，有效抑制噪声并提升整体响应速度。无论是用于紧凑型适配器、LED照明驱动，还是各种家电的辅助电源，它都能稳定可靠地工作，其宽广的工作温度范围确保在各种环境下性能如一。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏。