STS12N3LLH5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STS12N3LLH5技术参数详情：

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在紧凑空间内提供强劲动力与可靠控制的开关解决方案而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的出色答案STS12N3LLH5。这款来自意法半导体STripFET V家族的N沟道MOSFET，以其卓越的性能参数，正成为众多工程师在升级产品时的秘密武器。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统整体竞争力的关键一环。

想象一下，在您的电机驱动模块中，需要快速、精准地控制电流的通断；或者在便携设备的电源管理路径上，要求极低的导通损耗以延长宝贵的电池续航。STS12N3LLH5正是为此类严苛场景而生。其30V的漏源电压和高达12A的连续漏极电流承载能力，为中小功率应用提供了坚实的保障。更令人印象深刻的是，在10V驱动电压下，其导通电阻低至惊人的7.5毫欧，这意味着在开关过程中产生的热量更少，电能转换效率更高，直接为您带来更凉爽、更持久的运行体验。无论是活跃在工业自动化、消费电子，还是汽车辅助系统中，它都能游刃有余地扮演“高效闸门”的角色。

选择STS12N3LLH5，就是选择了一份经过时间考验的可靠性。它采用标准的8-SO表面贴装封装，易于集成到高密度的PCB布局中，极大简化了您的生产流程。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和稳定的性能使其在特定应用和库存替换市场中依然拥有不可替代的价值。对于寻求稳定供应链和可靠方案的客户，通过值得信赖的ST一级代理进行采购，是确保获得正品货源和支持的最佳途径。让这颗凝聚了ST先进MOSFET技术的芯片，成为您产品设计中提升效率、保障稳定性的坚实基石，助您在市场竞争中赢得先机。

型号:STS12N3LLH5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:8-SOIC
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:+22V，-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1290 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:2.7W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:8-SOIC
封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
现在可以订购STS12N3LLH5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能兼顾高效开关与稳健控制的MOSFET吗？STS12N3LLH5正是您理想的解决方案。它基于意法半导体先进的STripFET V技术打造，为您提供高达12A的电流处理能力和低至7.5毫欧的导通电阻，能显著降低开关损耗和发热，让您的电源转换或电机驱动电路运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能在4.5V至10V的标准驱动电压下被轻松驾驭，快速响应您的控制指令。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在各类环境下的稳定表现。无论是用于提升便携设备的电池效率，还是优化工业模块的功率密度，STS12N3LLH5都能以出色的性能，让您的设计脱颖而出，轻松应对能效挑战。