STS14N3LLH5

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理或电机驱动方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？想象一下，一颗能够同时兼顾低导通电阻、快速开关特性和出色热性能的MOSFET，将如何彻底改变您的设计格局。现在，这一切不再是想象，STS14N3LLH5正是为此而生的卓越解决方案。

源自意法半导体备受赞誉的STripFET V技术平台，这颗N沟道MOSFET在仅30V的漏源电压下，却能提供高达14A的连续电流承载能力。其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压下，仅6毫欧的Rds(on)值意味着更少的导通损耗，电能得以更高效地转换为有用功，而不是白白浪费为热量。无论是用于同步整流提升DC-DC转换器的效率，还是驱动小型电机实现精准控制，它都能确保系统运行得更凉爽、更持久。其快速的开关特性（栅极电荷Qg仅12nC）进一步减少了开关过程中的能量损失，让高频应用也能游刃有余。

这种性能与可靠性的结合，使其在广泛的场景中大放异彩。从无人机电调需要的高频PWM控制，到便携式设备内部紧凑的负载开关和电源路径管理；从汽车辅助系统中的小功率执行器驱动，到工业自动化模块里的信号切换，STS14N3LLH5都能成为提升整体系统能效和可靠性的关键一环。其表面贴装的8-SO封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，也便于自动化生产，大幅提升您的制造效率。

选择STS14N3LLH5，就是选择了一份经过市场验证的卓越与稳定。它继承了ST意法半导体一贯的高品质与一致性，即使在-55°C至150°C的严苛结温范围内也能稳定工作，为您的产品应对各种环境挑战注入强心剂。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST代理渠道，您依然可以获取库存或找到完美的替代与升级方案，确保项目供应链的平稳与连续。让这颗凝聚尖端技术的MOSFET，成为您打造下一代高效、紧凑型电子产品的秘密武器，开启能效表现的新篇章。

• 型号:STS14N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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您正在寻找一颗能大幅提升效率、节省空间且驱动简单的功率开关吗？STS14N3LLH5正是您的理想之选。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，采用先进的STripFET V技术，拥有仅6毫欧的超低导通电阻（@10V），能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它具备30V的耐压和14A的连续电流能力，结合仅12nC的低栅极电荷，确保了快速、干净的开关动作，非常适合需要高频操作的场景。采用紧凑的8-SO表面贴装封装，能轻松集成到空间受限的设计中。无论是升级现有产品还是开发新项目，STS14N3LLH5都能让您以更小的体积和更优的能效，轻松应对挑战。