STS3P6F6

当您的设计需要在紧凑空间内实现高效功率切换，同时必须保证极低的损耗和可靠的性能时，您是否曾为寻找那颗“恰到好处”的功率开关而烦恼？现在，答案来了。我们隆重向您推荐意法半导体（STMicroelectronics）的卓越解决方案STS3P6F6。这颗采用先进STripFET VI技术的P沟道MOSFET，正是为应对严苛应用挑战而生的高性能器件。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统效率、延长电池寿命、缩小产品体积的得力助手。

想象一下，在您的便携式设备、电源管理模块或电机驱动电路中，STS3P6F6正以其高达60V的漏源电压和3A的连续电流处理能力，稳健地执行着每一次开关指令。其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压下，仅160毫欧的阻值意味着更少的能量以热的形式浪费，更多的功率被有效传递。这直接转化为更长的运行时间、更低的温升以及更简洁的散热设计。无论是需要高效负载开关的消费电子，还是对空间和效率有双重追求的工业控制单元，它都能无缝融入，成为电路中的“节能先锋”。

选择STS3P6F6，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与性能保障。其DeepGATE技术确保了出色的栅极控制与稳健性，而高达150°C的结温工作范围，则赋予了产品在恶劣环境下依然稳定运行的底气。表面贴装的8-SOIC封装，完美契合现代电子制造对高密度集成的需求。虽然该型号已进入停产状态，但通过我们值得信赖的ST一级代理，您依然可以获得稳定可靠的货源与专业的技术支持，确保您的项目顺利进行，无需为供应链的波动而担忧。让我们携手，用这颗历经市场验证的经典芯片，为您的创新产品注入强大而持久的动力。

• 型号:STS3P6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 48 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• 现在可以订购STS3P6F6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为寻找一颗能兼顾高性能与小体积的P沟道MOSFET而四处比对参数吗？让STS3P6F6来终结您的选择困难！这颗来自ST意法半导体的功率开关，专为让您的设计更高效、更紧凑而生。

它集成了先进的STripFET VI技术，为您提供高达60V的耐压和3A的连续电流处理能力。最关键的是，其导通电阻（RdsOn）低至惊人的160毫欧（@10V，1.5A），这意味着它能显著降低开关过程中的功率损耗，直接提升您的系统整体能效，并简化散热设计。无论是用于电池供电设备的负载开关，还是电源路径管理，它都能让您轻松实现高效、可靠的功率控制。

此外，其紧凑的8-SOIC表面贴装封装，让您能在有限的PCB空间内优雅布局。选择STS3P6F6，就是选择了一个经过市场验证的、能助力产品脱颖而出的高效解决方案。