STSJ100NHS3LL - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STSJ100NHS3LL技术参数详情：

在追求极致效率的电力电子世界，您是否曾为寻找一款能在紧凑空间内承载大电流、同时保持超低损耗的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个堪称典范的解决方案STSJ100NHS3LL。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其卓越的性能重新定义了30V电压等级下功率管理的可能性。想象一下，在您的下一个设计中，一个仅8-SOIC封装的器件就能持续处理高达100A的电流，同时导通电阻低至惊人的毫欧级别，这意味着更少的热量产生、更高的系统效率，以及更长的产品寿命。这正是STripFET III系列技术的魅力所在，它将功率密度和能效提升到了一个全新高度。

无论是需要精密电机控制的工业自动化设备，还是对空间和散热极为苛刻的汽车辅助电源模块，甚至是要求高效率DC-DC转换的服务器电源和通信基站，STSJ100NHS3LL都能游刃有余。其4.5V的低栅极驱动电压使其易于被主流控制器驱动，而高达±16V的Vgs耐受电压则提供了坚固的可靠性保障。在-55°C至150°C的宽温范围内稳定工作，确保您的产品能够应对从酷寒到炎热的任何极端环境挑战。选择它，就是为您的核心功率电路选择了一位可靠且高效的“能量守门员”。

当您权衡选型时，STSJ100NHS3LL提供的不仅仅是冰冷的参数。它代表了一种设计哲学：在最小的物理占用下，实现最大的功率吞吐和最低的能耗损失。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升开关电源频率、缩小无源元件尺寸至关重要。虽然该型号已停产，但其卓越的设计和性能在特定应用和库存支持下依然极具价值。为了确保您能获得正品保障和稳定的供应支持，我们建议您通过专业的ST芯片代理进行咨询和采购，他们能为您提供完整的技术支持和供应链服务，让您的创新之旅没有后顾之忧。立即将STSJ100NHS3LL纳入您的设计备选清单，体验ST尖端功率技术带来的变革性力量。

型号:STSJ100NHS3LL
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:8-SOIC-EP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8SOIC
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:3W（Ta），70W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:8-SOIC-EP
封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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您正在设计需要处理大电流的紧凑型电源或电机驱动模块吗？STSJ100NHS3LL正是为您而来的强大引擎。这颗采用先进STripFET III技术的N沟道MOSFET，能在30V电压下持续通过高达100A的电流，而其超低的导通电阻（最低仅4.2毫欧）能显著减少导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它拥有4.5V的低驱动门槛和快速的开关特性，让您轻松实现高效能的功率切换控制。无论是用于提升DC-DC转换器的效率，还是驱动高功率负载，它都能以卓越的稳定性和功率密度，助您轻松攻克设计挑战，打造出性能更强劲、体积更精巧的终端产品。