STT3P2UH7 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STT3P2UH7技术参数详情：

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为寻找一颗性能可靠、导通损耗低的P沟道MOSFET而烦恼？想象一下，一个仅SOT-23-6大小的封装内，却能承载高达3A的连续电流，同时将导通电阻控制在惊人的100毫欧以下这并非遥不可及的未来科技，而是STT3P2UH7为您带来的现实价值。作为ST意法半导体STripFET家族的杰出成员，这颗芯片以其卓越的电气特性，正在重新定义小尺寸功率开关的可能性。

无论是需要高效负载开关的便携式设备，还是空间受限的电池管理模块，STT3P2UH7都能大显身手。其1.8V的低驱动电压门槛，让它在与主流微控制器配合时游刃有余，轻松实现系统的快速唤醒与关断，显著延长电池续航。在电机驱动辅助电路、DC-DC转换器的同步整流侧，或是作为系统电源路径的理想开关，它都能确保能量以最低损耗高效传输。即便面对150°C的高结温挑战，它依然稳定如山，为您的产品可靠性保驾护航。选择通过官方授权的ST中国代理进行采购，更是为这份可靠增添了原厂品质与供应链稳定的双重保障。

为何众多工程师在同类产品中独独青睐STT3P2UH7？答案在于它精准击中了设计痛点的平衡艺术。它并非一味追求参数的纸面华丽，而是在封装、性能、易用性与成本之间找到了最佳甜蜜点。20V的漏源电压与3A的电流能力，覆盖了绝大多数低电压、中等电流的应用场景；极低的栅极电荷与输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让系统整体效率再上一个台阶。虽然该型号目前已停产，但其成熟的设计、广泛的应用验证以及可能存在的库存与替代方案参考，使其依然是许多经典与特定项目设计中值得考虑的可靠选择。它代表的是一种经过市场千锤百炼的设计哲学用最精简的配置，释放最强大的性能。

型号:STT3P2UH7
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:SOT-23-6
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-6
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.8 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:510 pF @ 10 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:1.6W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:SOT-23-6
封装/外壳:SOT-23-6
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您正在寻找一颗能轻松驾驭3A电流，却只占用电路板角落空间的功率开关吗？STT3P2UH7正是为您而来。这颗来自ST意法半导体的P沟道MOSFET，凭借其STripFET先进技术，能在仅1.8V的低驱动电压下高效导通，将导通电阻降至极低的100毫欧，显著减少开关损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

它将让您的设计化繁为简。无论是用于便携设备的负载开关、电池保护电路，还是作为电源路径管理的关键元件，其SOT-23-6的超小封装都能为您节省宝贵的PCB面积。高达150°C的工作结温确保了在苛刻环境下的稳定表现，让您轻松构建高效、紧凑且可靠的电源管理系统。