STT3PF30L - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STT3PF30L技术参数详情：

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一颗既能承载关键负载，又能将空间占用和功耗降至最低的P沟道MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来一个堪称小型化电源管理利器的答案STT3PF30L。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的关键一环。想象一下，在紧凑的PCB板上，这颗小巧的芯片正以高达2.4A的连续电流和仅165毫欧的超低导通电阻，默默无闻地高效工作，将每一分电能都精准地输送到需要的地方，让您的设备运行得更冷静、更持久。

无论是便携式医疗设备中精密的电源切换，还是智能穿戴设备里电池的负载管理，甚至是消费电子中无处不在的电源开关和电机驱动，STT3PF30L都能游刃有余。其30V的漏源电压和宽广的-55°C至150°C工作温度范围，赋予了它应对各种严苛环境的强大适应力。在空间寸土寸金的SOT23-6封装内，它集成了STripFET II技术的精华，这意味着更快的开关速度、更低的栅极电荷和更优异的热性能，直接转化为您终端产品更长的续航和更高的可靠性。

选择STT3PF30L，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与经过市场验证的卓越性能。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟稳定的表现使其在诸多现有设计和备货方案中依然极具价值。对于寻求可靠供应与专业支持的工程师而言，通过值得信赖的ST代理商进行采购，不仅能确保获得正品货源，还能获取完整的技术资料与供应链服务，让您的项目从设计到量产都后顾无忧。让这颗高效的P沟道MOSFET，成为您下一个创新设计中不可或缺的“能量心脏”。

型号:STT3PF30L
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:SOT-23-6
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT23-6
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:420 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:1.6W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:SOT-23-6
封装/外壳:SOT-23-6
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您是否希望为您的紧凑型设计找到一颗动力强劲又省心的“开关”？STT3PF30L正是这样一款专为高效电源管理而生的P沟道MOSFET。它基于先进的STripFET II技术，在微小的SOT23-6封装内，为您提供高达30V的耐压和2.4A的连续电流处理能力，同时将导通电阻控制在极低的165毫欧，显著减少功率损耗和发热。

这颗芯片能让您的设计事半功倍。其低至2.5V的栅极阈值电压和优化的栅极电荷，意味着您可以用更简单的驱动电路实现高效、快速的开关控制，轻松应用于电池供电设备、负载开关、电机驱动等场景。它让您能够在提升系统能效和可靠性的同时，最大限度地节省宝贵的PCB空间，是追求高性能与小型化完美平衡的理想选择。